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K2618-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K2618-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2618-VB

K2618-VB概述

    # Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    VBsemi 的 Power MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效能的功率电子元件,广泛应用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)等领域。此外,它也被用于照明控制,如高亮度放电灯(HID)和荧光灯球,以及工业领域。本产品具备低损耗和快速响应的特点,能够在多种环境下保持稳定的性能。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 650 V
    - 最大栅源电压 (VGS): ± 30 V
    - 漏极连续电流 (ID): 10 V @ 25°C, TC = 25°C 时为 28 A, TC = 100°C 时为 7.0 A
    - 其他关键参数:
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 97 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 230 W
    - 热阻抗 (RthJA): 最大值 63°C/W
    - 有效输出电容 (Co(tr)): -
    - 总栅极电荷 (Qg): 13 nC
    - 输入电容 (Ciss): -
    - 输出电容 (Coss): -
    - 反向转移电容 (Crss): -

    产品特点和优势


    - 低损耗:
    - 极低的导通电阻 (RDS(on))
    - 极低的栅极电荷 (Qg)
    - 降低开关损耗和传导损耗
    - 快速响应:
    - 低输入电容 (Ciss)
    - 高效的反向恢复性能
    - 可靠性:
    - 重复性额定脉冲宽度受限于最大结温
    - 可承受极端工作温度范围

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源: 在这些应用中,高效的电力转换是关键,Power MOSFET 能够显著提高电源效率。
    - 工业领域: 用于驱动电机和其他重型负载,具有较高的可靠性和稳定性。
    - 照明系统: 用于 HID 和荧光灯的驱动,提供高效的功率控制和保护。
    使用建议
    - 在设计电路时,注意热管理以避免过热。
    - 使用 PCB 设计软件来减少寄生电感和杂散电感。
    - 配置合适的门极电阻 (Rg) 来优化开关速度。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 本产品适用于大多数标准的 PCB 封装和布局设计。
    - 支持和服务:
    - VBsemi 提供详细的技术支持和售后服务,包括设计咨询和技术文档。
    - 用户可访问官方网站获取最新产品信息和技术资料。

    常见问题与解决方案


    1. 问: 如何处理过高的栅极电荷?
    - 答: 选择合适型号的门极电阻 (Rg) 以减小栅极电荷。
    2. 问: 电路如何散热?
    - 答: 使用良好的散热片或冷却系统,并确保 PCB 上有足够的散热空间。
    3. 问: 产品是否有保护措施防止电压突变?
    - 答: 是的,本产品具有良好的反向恢复性能,能够有效抑制电压突变带来的损害。

    总结和推荐


    VBsemi 的 Power MOSFET 产品具有出色的性能和可靠性,适合在高要求的应用环境中使用。其低损耗和快速响应特性使其成为许多现代电子系统不可或缺的一部分。鉴于其优异的特性和广泛的应用领域,强烈推荐给需要高性能功率管理的工程师和技术人员。

K2618-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2618-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2618-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2618-VB K2618-VB数据手册

K2618-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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