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P6006HV-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8 在工业自动化领域,该产品可用于工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块,提高系统的运行效率和稳定性。
供应商型号: P6006HV-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P6006HV-VB

P6006HV-VB概述

    # Dual N-Channel 60 V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    本产品是一款Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET,采用TrenchFET®技术制造,广泛应用于电源管理和控制领域。具有低导通电阻(RDS(on)),适用于多种高压电力转换应用。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 最大漏源电压(VDS) | 60 V |
    | 栅极-源极阈值电压(VGS(th)) | 1.5 - 2.5 V |
    | 最大栅极-源极漏电流(IGSS) | ± 100 nA |
    | 零栅压漏电流(IDSS) | - |
    | 连续漏极电流(TC = 25°C) | 7 A |
    | 持续源极电流(IS) | 3.6 A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 16.2 mJ |
    | 绝对最大额定温度范围 | -55°C 到 +175°C |
    工作条件
    - 环境温度:-55°C 至 +175°C
    - 极限功率耗散(TC=25°C):4 W
    - 热阻(PCB安装):RthJA = 110°C/W

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:100% Rg和UIS测试确保产品稳定可靠。
    2. 低导通电阻:RDS(on) 在不同工作条件下均保持较低值。
    3. 高击穿电压:漏源击穿电压达到60V,适用于多种高压环境。
    4. 卓越热稳定性:在极端工作温度范围内表现良好。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 适用于高压DC-DC转换器
    - 高效开关电源设计
    - 电动机驱动控制
    使用建议
    1. 散热设计:由于RthJA较大,需注意散热措施以避免过热。
    2. 保护电路:应考虑增加过流保护和防反接二极管。
    3. 驱动信号:栅极驱动需注意脉冲宽度及占空比,防止损坏。

    兼容性和支持


    - 与标准SO-8封装兼容,易于替换。
    - 厂商提供技术支持,包含详细应用指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 发热严重:增加散热片或采用更好的PCB设计。
    2. 输出不稳定:检查负载是否正常,调整驱动信号。
    3. 过电流保护失效:更换更适配的保险丝或电路保护装置。

    总结和推荐


    Dual N-Channel 60 V MOSFET以其低导通电阻、高可靠性以及广泛的温度适应性,成为高压应用中的理想选择。虽然存在一定的热管理挑战,但通过合理的应用设计,可以充分发挥其性能优势。因此,强烈推荐在高压开关电源和电机控制领域使用该产品。

P6006HV-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 6A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,32mΩ@4.5V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

P6006HV-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P6006HV-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P6006HV-VB P6006HV-VB数据手册

P6006HV-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.8212
4000+ ¥ 1.742
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型号 价格(含增值税)
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