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FDPF6N60ZUT-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: FDPF6N60ZUT-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDPF6N60ZUT-VB

FDPF6N60ZUT-VB概述

    FDPF6N60ZUT 650V N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDPF6N60ZUT 是一款高性能 N-Channel 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高电压应用。它具备低栅极电荷、改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性等特点。该产品完全符合 RoHS 指令 2002/95/EC,并且已经在各种高电压和高电流环境中得到验证。

    技术参数


    以下是 FDPF6N60ZUT 的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ± 30 ± 30 | V |
    | 漏源电压 | VDS 650 | V |
    | 栅漏电容 | Cgd 19 | nC |
    | 源漏电容 | Csd 177 pF |
    | 栅源电容 | Cgs 12 nC |
    | 漏源体二极管最大雪崩能量 | EAS 325 | mJ |
    | 漏源电压耐受能力 | VDS 650 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS 25 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) 2.5 Ω |
    | 最大功耗 | PD 30 | W |
    | 漏极连续电流 | ID 3.8 | A |

    产品特点和优势


    FDPF6N60ZUT 的特点包括:
    - 低栅极电荷 (Qg):只需简单的驱动要求,简化设计。
    - 改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐久性:增强在高电压下的可靠性。
    - 全面表征的电容和雪崩电压及电流:确保在高功率环境下稳定运行。
    - 完全符合 RoHS 指令:环保友好,适合多种应用场合。

    应用案例和使用建议


    FDPF6N60ZUT 在多种应用场景中表现出色,如:
    - 电机控制:具有较低的导通电阻和高耐压特性,适用于电机控制电路。
    - 开关电源:适用于高压环境,提供高效能转换。
    - 逆变器:提供可靠的开关性能,适用于工业级逆变器。
    使用建议:
    - 为了优化性能,在使用时应注意保持适当的散热措施,以避免过热现象。
    - 在选择栅极驱动器时,建议选择高驱动能力的驱动器,以提高驱动效率和降低开关损耗。

    兼容性和支持


    FDPF6N60ZUT 具备良好的兼容性,可以与大多数现有的栅极驱动器和控制系统兼容。制造商提供详尽的技术支持和维护文档,确保用户能够快速解决问题并优化系统性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备过热。
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,适当增加散热片或外部风扇。
    - 问题:驱动不稳定。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保有足够的驱动能力。
    - 问题:器件损坏。
    - 解决方案:确认使用条件未超出器件的最大额定值,必要时更换合适型号。

    总结和推荐


    FDPF6N60ZUT 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel 650V 功率 MOSFET,适用于多种高电压应用。其低栅极电荷和改进的耐久性使其成为市场上极具竞争力的产品。鉴于其出色的特性和广泛应用范围,我们强烈推荐使用 FDPF6N60ZUT,特别是在需要高电压、高电流的应用环境中。
    如果您对 FDPF6N60ZUT 或其他相关产品有任何疑问,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

FDPF6N60ZUT-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 4A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FDPF6N60ZUT-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDPF6N60ZUT-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDPF6N60ZUT-VB FDPF6N60ZUT-VB数据手册

FDPF6N60ZUT-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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