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K2986-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: K2986-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2986-VB

K2986-VB概述

    K2986-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2986-VB 是一款 N 沟道 60V 的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高电压和高温应用场合。此产品具有出色的电气特性和隔离封装,可广泛应用于工业控制、电源转换及各类电力电子产品中。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):60V
    - 漏源击穿电压:60V
    - 热系数 (ΔVDS/TJ):0.060V/°C
    - 漏源通态电阻 (RDS(on)):在 VGS=10V 时为 0.027Ω
    - 电流参数:
    - 连续漏极电流 (ID):45A(在 TC=25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):220A
    - 热阻抗:
    - 结到环境的最大热阻 (RthJA):65°C/W
    - 结到外壳的最大热阻 (RthJC):3.1°C/W
    - 电容参数:
    - 输入电容 (Ciss):1500pF
    - 输出电容 (Coss):100pF
    - 反向传输电容 (Crss):12pF
    - 其他参数:
    - 最大反向恢复电压 (dV/dt):4.5V/ns
    - 最大雪崩能量 (EAS):100mJ
    - 最大连续工作温度 (Tj):175°C
    - 工作和存储温度范围 (Tj, Tstg):-55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    K2986-VB N 沟道 MOSFET 具备多种技术亮点,使其在市场上独具优势:
    - 隔离封装:提供高压隔离功能,确保安全可靠的应用;
    - 高耐压:最大工作电压可达 60V,适合高压应用场景;
    - 低热阻:热阻抗较低,有助于提高散热效率;
    - 宽温操作范围:可承受从 -55°C 到 +175°C 的极端温度变化,适应广泛的工业环境。

    应用案例和使用建议


    K2986-VB 可以应用于各种高电压和高温环境中,例如电源管理、电机驱动和通信基础设施。在具体使用过程中,建议注意以下几点:
    - 散热设计:确保 MOSFET 散热良好,避免因过热而影响性能;
    - 电路布局:优化电路布局,减少寄生电感,以提高开关性能;
    - 测试验证:在使用前进行充分的测试,确保所有参数符合设计要求。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 与多种驱动电路和电源管理系统兼容,适用于多种应用场景;
    - 技术支持:厂商提供详细的技术手册和在线技术支持,帮助用户解决安装和调试中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何判断 MOSFET 是否损坏?
    - 解决方案:使用万用表测量漏源电压和门源电压,如果测量值不在正常范围内,则可能损坏。
    - 问题2:如何选择合适的驱动电阻?
    - 解决方案:根据 MOSFET 的栅极电荷和所需的开关速度来选择合适的驱动电阻,确保快速稳定的开关过程。

    总结和推荐


    K2986-VB N 沟道 60V MOSFET 是一款高性能的电子元器件,具有出色的技术规格和广泛的适用性。其卓越的耐压能力和宽温范围使得它成为众多高电压和高温环境下的理想选择。强烈推荐给需要稳定高效电力转换和控制的应用场合。

K2986-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 45A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2986-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2986-VB数据手册

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K2986-VB封装设计

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