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K3456-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: K3456-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3456-VB

K3456-VB概述

    # K3456-VB 数据手册解析

    产品简介


    K3456-VB 是一款由 VBsemi 推出的高性能 N-Channel 功率 MOSFET。该器件具有极低的 RON(导通电阻)和 Qg(总栅极电荷),广泛应用于高效率电源管理领域。其主要功能包括高效的开关和导通性能,特别适用于需要快速切换和减少功率损耗的应用场景。主要应用领域涵盖服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明系统(如高强度放电灯和荧光灯镇流器)。此外,它还适用于工业领域的各种高功率应用。

    技术参数


    以下为 K3456-VB 的关键技术参数列表:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 600 650 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) 0.50 Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg 186 nC |
    | 输入电容 | Ciss 1471 pF |
    | 反向传输电容 | Crss | pF |
    | 输出电容 | Coss | pF |
    | 最大结温 | TJ | -55 150 | °C |
    | 绝对最大功耗 | PD 2.7 | W |
    其他参数还包括门限电压(VGS(th))范围为 2-4 V,反向恢复时间(trr)典型值为 190 ns,以及关断延时时间(td(off))和上升时间(tr)均小于 100 ns。

    产品特点和优势


    K3456-VB 的核心优势在于其卓越的性能指标:
    1. 低功耗设计:通过低 RON 和低 Qg 实现最小化开关和导通损耗。
    2. 高效率:适合高速开关应用,显著提升整体能效。
    3. 宽工作温度范围:-55°C 至 +150°C 的工作温度适应多种恶劣环境。
    4. 高可靠性:单脉冲雪崩能量(EAS)达到 1 mJ,保证长期稳定运行。
    5. 快速响应:超低的输入电容和输出电容,使开关时间更短,降低延迟效应。
    这些特点使其成为现代高效能电子系统中的理想选择,在高密度设计和高频应用中表现尤为突出。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:利用 K3456-VB 的低损耗特性,可有效提高电源效率并降低能耗。
    - 工业照明:适用于高强度放电灯和荧光灯镇流器,确保灯光控制系统快速而精准。
    - 功率因数校正电路:结合其高雪崩能量和低反向恢复电荷,实现高效的 PFC 转换。
    使用建议
    1. 在高频应用中,应注意 PCB 布局的低杂散电感,以避免不必要的寄生效应。
    2. 配合快速驱动器使用,可以最大化其开关速度优势。
    3. 当用于大电流场景时,需增加适当的散热措施,例如安装热沉。

    兼容性和支持


    K3456-VB 支持标准 TO-220AB 封装,可直接替换同类产品。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,客户可通过官网或拨打服务热线(400-655-8788)获取相关资料和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    以下是常见的问题及对应的解决方案:
    1. 问题:开关过程中出现异常振荡。
    解决方案:优化 PCB 布局,缩短引脚长度,并添加去耦电容。

    2. 问题:设备过热。
    解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加外置散热片或风扇。
    3. 问题:无法正常开启。
    解决方案:确认驱动电压是否达到额定值,且门极电阻值是否正确。

    总结和推荐


    K3456-VB 是一款高效、可靠的 N-Channel 功率 MOSFET,适用于需要高效率和紧凑设计的应用场合。其低功耗、快响应和高稳定性使其在市场上具备强大竞争力。我们强烈推荐此产品给追求高效能的客户。如果您需要进一步了解,请联系 VBsemi 官方客服获取详细信息和支持。

K3456-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 9A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3456-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3456-VB数据手册

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K3456-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
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