处理中...

首页  >  产品百科  >  FLZ34N-VB

FLZ34N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: FLZ34N-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FLZ34N-VB

FLZ34N-VB概述

    FLZ34N-VB N-Channel 60 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FLZ34N-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N-沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET)。这款MOSFET 主要应用于需要快速开关和低导通电阻的应用场景,如电源转换、电机控制和其他工业自动化设备。它具有出色的动态dv/dt评级、逻辑电平栅极驱动能力和快切换速度等特点。

    2. 技术参数


    - 主要参数:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 60 V
    - 漏源连续电流 \( ID \): 50 A (当 \( V{GS} \) = 10 V时)
    - 脉冲漏源电流 \( I{DM} \): 200 A
    - 静态漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = 10 V \)时为0.024 Ω
    - 在 \( V{GS} = 4.5 V \)时为0.028 Ω
    - 动态特性:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 190 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 920 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 不详
    - 门级电荷 \( Qg \): 66 nC
    - 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
    - 最大结温 \( T{J,max} \): 175°C
    - 封装: TO-220AB

    3. 产品特点和优势


    - 环保特性: 无卤素,符合RoHS指令要求
    - 表面贴装设计: 支持自动装配工艺
    - 逻辑电平驱动: 便于微控制器直接驱动
    - 高速开关: 适用于需要快速响应的应用场合
    - 高可靠性: 符合严格的工业标准,能够在苛刻环境下稳定工作

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源管理:用于直流-直流转换器和开关电源,以提高效率。
    - 电机控制:用于电动机的启动和调速控制,提供高效能量转换。

    - 使用建议:
    - 散热管理:由于最高功耗为150 W,需要良好的散热设计,例如采用合适的散热片或热管。
    - 电路布局:在设计电路板时,应尽量减少寄生电感的影响,以确保最佳的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于标准的表面贴装生产线,可以与大多数通用电源模块配合使用。
    - 支持信息: 提供全面的技术文档和支持,包括详细的电气特性曲线和电路设计指南。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 设备在高温下运行时,如何防止过热?
    - A: 使用带有适当散热设计的散热片,并确保电路板上的气流顺畅。定期检查散热器的状态,必要时更换或清理。
    - Q: 如何避免门极电荷对电路的干扰?
    - A: 在驱动MOSFET时,使用带有良好噪声抑制特性的驱动器,并确保接地良好,以减小干扰。

    7. 总结和推荐


    FLZ34N-VB是一款高性能、可靠的N-沟道MOSFET,适用于多种高功率应用场合。其独特的环保特性和高效的性能使其在市场上具有很强的竞争优势。对于需要快速开关和低导通电阻的电源管理应用来说,这款MOSFET是一个理想的选择。强烈推荐给需要高性能电子元器件的设计工程师和技术爱好者。

FLZ34N-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 50A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FLZ34N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FLZ34N-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FLZ34N-VB FLZ34N-VB数据手册

FLZ34N-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
1000+ ¥ 1.4911
库存: 400000
起订量: 20 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 35
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336