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NDS8926A-NL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,20V,8A,RDS(ON),15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12Vgs(±V);0.9Vth(V) 封装:SOP8适用于需要高性能开关的电路和模块,电源逆变器模块、电动车辆控制模块、工业自动化模块、LED 照明模块。
供应商型号: NDS8926A-NL-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDS8926A-NL-VB

NDS8926A-NL-VB概述

    NDS8926A-NL MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NDS8926A-NL 是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产的20V N沟道功率MOSFET,采用了TrenchFET®技术。它具有出色的热阻性能和低栅极电阻,适用于电源管理、开关模式电源、电机驱动等多种应用场合。该产品不仅符合RoHS指令,还达到了无卤素标准(IEC 61249-2-21定义),使其成为环保和高性能应用的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是NDS8926A-NL的主要技术参数,这些数据可帮助设计工程师更好地了解其性能:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) 20 | V |
    | 栅极漏电流(IGSS) ± 100 | nA |
    | 开启状态漏电流(IDSS) | 1 5 | µA |
    | 开启状态漏极电流(ID) 20 A |
    | 开启状态漏极-源极电阻(RDS(on)) | 0.019 0.026 | Ω |
    | 前向跨导(gfs) 27 S |
    | 端子二极管正向电压(VSD) 1.2 V |
    绝对最大额定值如下:
    | 参数 | 单位 | 极限值 |
    |
    | 漏源电压(VDS) | V | 20 |
    | 栅源电压(VGS) | V | ± 12 |
    | 持续漏极电流(ID) | A | 7.1 |
    | 脉冲漏极电流(IMD) | A | 40 |
    | 工作结温(TJ) | °C | -55 至 150 |
    | 最大结到环境热阻(RthJA) | °C/W | 62.5 |

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:所有产品均进行100%栅极电阻测试,保证其长期稳定运行。
    - 无卤素设计:符合IEC 61249-2-21无卤素定义,减少对环境的影响。
    - 兼容RoHS:满足欧盟RoHS指令,符合电子产品绿色化要求。
    - 优秀的热阻性能:高可靠性的双N沟道MOSFET,能够在恶劣环境下工作。

    4. 应用案例和使用建议


    NDS8926A-NL MOSFET广泛应用于各种场合,例如:
    - 电源管理:如直流-直流转换器和电池充电电路。
    - 开关模式电源:如笔记本电脑和手机充电器。
    - 电机驱动:如电动工具和工业自动化设备。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意MOSFET的工作温度范围(-55°C至150°C)。
    - 确保合适的散热措施以保持较低的热阻(RthJA)。
    - 采用多层PCB板和散热片可以进一步提高散热效果。

    5. 兼容性和支持


    NDS8926A-NL MOSFET支持多种封装形式,包括SO-8窄型引脚。对于具体的应用需求,可通过联系台湾VBsemi的客户服务获取更详细的资料和技术支持。公司提供了完善的售后服务体系,确保用户在使用过程中遇到任何问题都能得到及时有效的解决。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是使用过程中可能遇到的一些常见问题及相应的解决方法:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 改善散热措施,如增加散热片或散热器 |
    | 漏电流过大 | 检查电路设计,确保符合规范 |
    | 开关损耗高 | 优化电路设计,减少不必要的导通时间 |

    7. 总结和推荐


    总体而言,NDS8926A-NL MOSFET凭借其高可靠性、优良的热阻特性和广泛的适用范围,成为许多高性能应用的理想选择。其独特的技术优势使得它在众多同类产品中脱颖而出。我们强烈推荐这款产品用于电源管理和电机驱动等关键应用。

NDS8926A-NL-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 12V
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NDS8926A-NL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDS8926A-NL-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDS8926A-NL-VB NDS8926A-NL-VB数据手册

NDS8926A-NL-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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