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4232GM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,30V,8.5A,RDS(ON),20mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.5Vth(V) 封装:SOP8
供应商型号: 4232GM-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4232GM-VB

4232GM-VB概述

    Dual N-Channel 30V MOSFET 技术手册

    产品简介


    本手册介绍的是VBsemi公司的Dual N-Channel 30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有出色的功率处理能力和卓越的电气特性。这款MOSFET广泛应用于笔记本系统电源管理及低电流直流转换器中。其采用TrenchFET技术,以确保高效的开关性能和更低的导通电阻。

    技术参数


    以下为该产品的核心技术和性能参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \):30 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \):± 20 V
    - 持续漏极电流(TJ = 150 °C):
    - 在 25 °C 时:8.5 A
    - 在 70 °C 时:7.5 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \):30 A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \):10 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \):5 J
    - 工作条件下的典型值
    - 静态漏源击穿电压 \( V{DS} \):30 V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):0.016 Ω(\( V{GS} = 10 V \),\( I{D} = 8 A \))
    - 输入电容 \( C{iss} \):660 pF(\( V{DS} = 15 V \),\( V{GS} = 0 V \),\( I{D} = 8 A \))
    - 输出电容 \( C{oss} \):140 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \):86 pF
    - 总栅极电荷 \( Q{g} \):14.5 nC(\( V{DS} = 15 V \),\( V{GS} = 10 V \),\( I{D} = 8 A \))

    产品特点和优势


    - TrenchFET 技术:该MOSFET采用TrenchFET技术,实现了高效率的开关操作。
    - 100% 测试:所有器件均经过严格的 \( Rg \) 和UIS测试,确保产品的可靠性和稳定性。
    - 符合RoHS标准:产品完全符合欧盟RoHS指令2002/95/EC标准。

    应用案例和使用建议


    这款MOSFET适合于低电流直流转换器和笔记本电脑电源管理系统。在这些应用中,它的高效能和低导通电阻有助于减少功耗和提高系统的整体性能。
    - 应用案例:
    - 笔记本系统电源:利用其低导通电阻,可以显著降低功率损耗,提升电源效率。
    - 低电流直流转换器:通过高效的开关操作,实现稳定的电源输出。
    - 使用建议:
    - 确保良好的散热措施,特别是在高负载情况下,以避免过热问题。
    - 使用外部电路设计来优化MOSFET的性能,例如通过调整栅极电阻 \( Rg \) 来控制开关速度。

    兼容性和支持


    这款MOSFET可直接替代其他品牌的同类产品,且与大多数主流电子设备兼容。VBsemi公司提供了全面的技术支持和客户服务,包括详细的安装指南和技术咨询,以确保用户能够充分利用其性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:在高负载下温度过高。
    - 解决办法:增加散热片或采用外部冷却措施,如风扇或散热片。
    - 问题二:导通电阻异常升高。
    - 解决办法:检查是否由于温度过高导致,或重新校准栅极驱动信号以确保正确的工作状态。

    总结和推荐


    总体而言,这款VBsemi Dual N-Channel 30V MOSFET凭借其高效率、低导通电阻和严格的质量测试,在众多应用中表现优异。尤其适用于需要高效、稳定电源管理的笔记本电脑系统及低电流直流转换器。强烈推荐使用此产品,特别是对于那些寻求高性能解决方案的设计工程师。

4232GM-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,12mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Id-连续漏极电流 8.5A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4232GM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4232GM-VB数据手册

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4232GM-VB封装设计

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