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HUF75309D3ST-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: HUF75309D3ST-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HUF75309D3ST-VB

HUF75309D3ST-VB概述

    HUF75309D3ST-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    HUF75309D3ST-VB 是一款 N 沟道 60V(漏源电压)的 MOSFET,由 VBsemi 公司生产。这种 MOSFET 主要用于表面贴装,并采用 TO-220AB 封装形式。它的主要功能是为各种高电流应用提供高效的开关控制。应用范围广泛,涵盖电源管理、电机驱动和照明系统等多个领域。

    技术参数


    HUF75309D3ST-VB 的技术规格如下:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 60V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏极电流(室温下)\( ID \): 50A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 200A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 400mJ
    - 最大功耗(空气环境): 150W
    - 工作结温和存储温度范围 \( TJ, T{stg} \): -55°C 到 +175°C
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压 \( V{DS} \): 60V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0V 至 2.5V
    - 零栅压漏极电流 \( I{DSS} \): ≤25μA(在 60V 下)
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.024Ω(在 VGS=10V 下),0.028Ω(在 VGS=4.5V 下)
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \): ≤190pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): ≤920pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): ≤0.028nF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): ≤66nC

    产品特点和优势


    HUF75309D3ST-VB 在设计和功能上具有诸多优势:
    - 无卤素:符合 IEC 61249-2-21 标准定义。
    - 表面贴装:便于自动装配,提高生产效率。
    - 逻辑级栅极驱动:适用于逻辑电路,减少外部电路复杂性。
    - 快速切换:支持高达 4.5V/ns 的峰值二极管恢复 \( dV/dt \),适合高频应用。
    - 符合 RoHS 规定:环保材料,适合工业应用。

    应用案例和使用建议


    HUF75309D3ST-VB 主要应用于电源管理和电机驱动系统。例如,在一个典型的开关电源设计中,可以将 HUF75309D3ST-VB 作为主开关 MOSFET 使用。具体使用建议如下:
    - 电路布局:确保低寄生电感,采用接地平面来减少电磁干扰。
    - 热管理:注意散热设计,合理选择散热片或冷却系统,以防止过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    HUF75309D3ST-VB 与其他标准 TO-220AB 封装的电子元器件具有良好的兼容性,便于替换现有系统中的同类组件。VBsemi 公司提供详细的技术支持,包括产品手册、样品申请和技术咨询服务。同时,对于售后维护,公司承诺及时处理客户反馈,并提供必要的技术支持。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的常见问题及解决方案:
    - 问题:过高的 \( V{DS} \) 导致器件失效。
    - 解决方案:检查系统设计,确保 \( V{DS} \) 不超过器件的最大额定值。

    - 问题:器件发热严重。
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或风扇,保持器件在安全温度范围内运行。

    - 问题:切换过程中出现异常。
    - 解决方案:检查电路布局,特别是减小寄生电感,以确保快速稳定的切换。

    总结和推荐


    总体而言,HUF75309D3ST-VB 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET。它具备出色的耐热性和快速切换能力,特别适合于需要高电流和高速度的电源管理应用。建议在设计要求较高的应用场景中选用此产品,例如工业自动化、电源转换系统等。同时,其无卤素、符合 RoHS 规定的特点也使其成为环保型应用的理想选择。

HUF75309D3ST-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 50A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

HUF75309D3ST-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HUF75309D3ST-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HUF75309D3ST-VB HUF75309D3ST-VB数据手册

HUF75309D3ST-VB封装设计

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