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360N15NS3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,35A,RDS(ON),20mΩ@10V,24mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:QFN8(5X6)
供应商型号: 360N15NS3-VB QFN8(5X6)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 360N15NS3-VB

360N15NS3-VB概述

    # 360N15NS3-VB N-Channel 150V MOSFET 技术手册

    产品简介


    360N15NS3-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,属于VBsemi公司的TrenchFET®系列产品。这款MOSFET适用于多种应用场景,包括固定电信系统、直流-直流转换器以及电源的初级和次级侧开关。它具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,使其在高效率电力转换和控制中表现出色。

    技术参数


    以下是360N15NS3-VB的主要技术规格:
    - 电压规格:
    - 最大漏源电压 (VDS):150 V
    - 最大栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 电流规格:
    - 持续漏极电流 (ID):在25°C时为53.7 A,在70°C时为43 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大值为130 A(脉冲宽度≤300 µs)
    - 源极-漏极二极管连续电流 (IS):最大值为60 A
    - 电阻规格:
    - 导通电阻 (RDS(on)):在10 V栅压下为0.0158 Ω,在7.5 V栅压下为0.0188 Ω
    - 电容规格:
    - 输入电容 (Ciss):最大值为1286 pF
    - 输出电容 (Coss):最大值为327 pF
    - 反向转移电容 (Crss):最大值为28 pF
    - 热阻规格:
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):最大值为20 °C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):最大值为1.2 °C/W

    产品特点和优势


    - 高效能:具有低导通电阻和高电流承载能力,适合用于高效率的电力转换和控制。
    - 可靠性高:100% Rg和UIS测试确保其在极端条件下的稳定性。
    - 宽温度范围:工作温度范围为-55°C至150°C,适应各种恶劣环境。
    - 快速开关性能:良好的动态特性使其适用于高速开关应用。
    - 兼容性强:DFN5X6无铅封装,易于安装且具有良好的散热性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    360N15NS3-VB广泛应用于固定电信系统、直流-直流转换器及电源开关中。例如,在一个电信基站中,该MOSFET可以作为电源管理的关键部件,确保稳定可靠的电力供应。
    使用建议
    - 布局优化:由于是无铅封装,建议采用自动焊接工艺以提高焊接质量和可靠性。
    - 散热设计:为了确保最佳性能,需要考虑有效的散热措施,特别是在高温环境下使用。
    - 驱动电路:确保驱动电路能够提供足够的栅极驱动电压,以保证快速和稳定的开关性能。

    兼容性和支持


    360N15NS3-VB与多数现有的直流-直流转换器和电源系统兼容。VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线知识库、技术支持热线和客户服务团队,帮助用户解决问题和提升应用体验。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 焊接过程中出现问题:手动焊接不推荐用于无铅组件。
    2. 过载保护:当电流超过额定值时,可能出现过载保护问题。
    3. 散热不足:在高负载条件下,可能会出现过热问题。
    解决方案
    1. 焊接:建议使用自动焊接工艺,以避免手动焊接带来的潜在问题。
    2. 过载保护:在电路设计中增加适当的保护机制,如保险丝或断路器。
    3. 散热:确保设计有良好的散热路径,并考虑使用散热片或散热风扇。

    总结和推荐


    360N15NS3-VB是一款功能强大且高效的N沟道MOSFET,适用于多种电力转换和控制系统。其低导通电阻、高电流承载能力和优良的动态特性使其成为市场上同类产品的有力竞争者。总体而言,推荐使用360N15NS3-VB,特别是在需要高效、可靠和灵活的电力控制和转换的应用场景中。

360N15NS3-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 35A
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 150V
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,24mΩ@4.5V
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 QFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

360N15NS3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

360N15NS3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 360N15NS3-VB 360N15NS3-VB数据手册

360N15NS3-VB封装设计

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