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J607-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-110A,RDS(ON),8mΩ@10V,9.6mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: J607-Z-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J607-Z-VB

J607-Z-VB概述

    J607-Z-VB P-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    J607-Z-VB 是一款 P-Channel 60V(D-S)175℃的MOSFET,采用 TrenchFET® 电源MOSFET技术。它广泛应用于汽车电子、工业控制、电源管理等领域。由于其低热阻封装和高可靠性,这款产品是许多高性能应用的理想选择。

    技术参数


    - 主要参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -60V
    - 持续漏极电流 \( ID \)(TJ = 175°C): -110A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -200A
    - 最大功率耗散(TJ = 25°C): 272W
    - 最大结温 \( T{J} \): -55°C 至 175°C
    - 结至环境热阻 \( R{thJA} \): 40°C/W
    - 结至外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.55°C/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): -60V
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \): -1V 至 -3V
    - 门源泄漏电流 \( I{GSS} \): ±100nA
    - 零门限电压漏极电流 \( I{DSS} \): -1µA
    - 开启状态漏极电流 \( I{D(on)} \): -120A
    - 静态特性:
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = -10V \), \( ID = -30A \): 0.0065Ω(\( TJ = 25°C \))
    - \( V{GS} = -4.5V \), \( ID = -20A \): 0.0085Ω
    - 动态特性:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 9200pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 975pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 760pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 160nC 至 240nC
    - 门源电荷 \( Q{gs} \): 40nC
    - 门源电荷 \( Q{gd} \): 36nC

    产品特点和优势


    - 低热阻封装:提供快速散热,提高产品可靠性和寿命。
    - 高可靠性:100% Rg测试保证产品性能稳定。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 175°C,适合极端环境下的应用。
    - 低导通电阻:降低功耗,提高效率。
    - 高电流处理能力:最大脉冲漏极电流可达 -200A。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 汽车电子:如电机驱动和电池管理系统。
    - 工业控制:如电源转换和电机控制。
    - 电源管理:如DC-DC转换器和开关电源。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需考虑热管理措施,确保长期稳定性。
    - 使用过程中注意避免过压和过流,以保护设备不受损坏。
    - 建议结合散热片或散热板使用,以提高散热效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品适用于标准D2PAK封装,与市面上多数同类产品兼容。
    - 支持:由台湾VBsemi公司提供全面的技术支持和售后服务,包括设计指导和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:MOSFET发热严重。
    - 解决方法:增加散热片或使用水冷系统,同时优化电路设计减少热量产生。

    - 问题二:MOSFET失效。
    - 解决方法:检查输入电压和电流是否在安全范围内,确认电路设计是否合理。
    - 问题三:MOSFET开启速度慢。
    - 解决方法:调整栅极驱动电阻,减小栅极充电时间。

    总结和推荐


    J607-Z-VB P-Channel MOSFET凭借其低热阻封装、高可靠性及宽工作温度范围等显著特点,在多种应用场景中表现出色。其低导通电阻和高电流处理能力进一步提升了其市场竞争力。总体而言,我们强烈推荐此款MOSFET用于需要高效能和高可靠性的电力电子产品设计中。

J607-Z-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@10V,9.6mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 110A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J607-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J607-Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J607-Z-VB J607-Z-VB数据手册

J607-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 6.047
800+ ¥ 5.795
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