处理中...

首页  >  产品百科  >  NK2301AA-VB

NK2301AA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: NK2301AA-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NK2301AA-VB

NK2301AA-VB概述

    NK2301AA P-Channel 20-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NK2301AA 是一款适用于多种电子设备的 P-通道 20V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有高可靠性和低导通电阻的特点,广泛应用于负载开关、功率放大器开关及直流/直流转换器等领域。该产品不仅符合RoHS指令要求,而且无卤素设计,符合IEC 61249-2-21标准。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):20 V
    - 连续漏极电流 (ID):-5A @ 25°C,-4.5A @ 70°C
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-18 A
    - 最大功耗 (PD):2.5 W @ 25°C,1.6 W @ 70°C
    - 最大结温 (TJ, Tstg):-55°C 至 150°C
    - 封装形式:SOT-23 (TO-236)
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = -10 V,ID = -5.1 A 时,RDS(on) = 0.035 Ω
    - VGS = -4.5 V,ID = -4.5 A 时,RDS(on) = 0.043 Ω
    - VGS = -2.5 V,ID = -3.7 A 时,RDS(on) = 0.061 Ω
    - 门电荷 (Qg):10 nC (VDS = -10 V, VGS = -4.5 V)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:低至0.035 Ω,能够有效降低功耗,提高系统效率。
    2. 无卤素设计:环保材料设计,符合严格的环境保护标准。
    3. 100% Rg 测试:确保产品质量稳定可靠。
    4. TrenchFET®技术:采用先进的沟槽技术,提升器件性能。
    5. 宽温度范围:在极端温度下也能保持稳定的性能。

    应用案例和使用建议


    NK2301AA 主要应用于负载开关、功率放大器开关和直流/直流转换器。在负载开关的应用中,通过选择合适的驱动电压和电流,可以实现高效能的电力管理。对于功率放大器开关,应确保足够的门电荷和低导通电阻以减少损耗。在直流/直流转换器中,应结合具体的设计需求选择适当的额定电压和电流。
    使用建议:
    1. 在高温环境下使用时,需注意散热设计,确保不超过最大功耗。
    2. 选择合适的栅极电阻以优化开关性能。
    3. 在负载开关应用中,尽量避免过载,以免影响使用寿命。

    兼容性和支持


    NK2301AA 具有良好的兼容性,可与其他符合SOT-23封装标准的电路板组件兼容。厂商提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和技术咨询。此外,购买该产品还享有质保服务,确保客户在使用过程中无后顾之忧。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何选择合适的栅极驱动电压?
    答:根据NK2301AA的数据手册,建议使用-4.5V到-10V之间的栅极驱动电压,以保证导通电阻最低且稳定。
    2. 问:在高温环境下如何避免过热?
    答:使用适当的散热片和散热设计,确保器件的工作温度不超过150°C的最大结温。
    3. 问:在高频开关应用中,需要注意什么?
    答:需要考虑输出电容和反向转移电容的影响,优化门电荷,确保开关速度满足应用需求。

    总结和推荐


    NK2301AA P-通道 20V MOSFET 在可靠性、性能和应用范围方面表现优异。其低导通电阻、无卤素设计以及宽温度适应性使其成为多种电子设备的理想选择。强烈推荐在负载开关、功率放大器开关及直流/直流转换器中使用NK2301AA,以实现高效的电力管理和性能优化。

NK2301AA-VB参数

参数
最大功率耗散 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
Id-连续漏极电流 4A
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NK2301AA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NK2301AA-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NK2301AA-VB NK2301AA-VB数据手册

NK2301AA-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
库存: 400000
起订量: 115 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:115
合计: ¥ 26.77
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504