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F730B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: F730B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) F730B-VB

F730B-VB概述

    F730B-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    F730B-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种高功率应用。它具有较低的门极电荷(Qg),简化了驱动要求,提高了栅极、雪崩和动态 dv/dt 的坚固性。该器件完全经过电容和雪崩电压的表征,符合 RoHS 指令 2002/95/EC。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS): 500 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.660 Ω (VGS = 10 V)
    - 最大总门极电荷 (Qg): 81 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 20 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 36 nC
    - 封装形式: TO-220AB
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 500 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏电流 (ID): 13 A (TC = 25°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 50 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 560 mJ
    - 雪崩电流 (IAR): 13 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 25 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 250 W (TC = 25°C)
    - 热阻
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 62 °C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC): 0.50 °C/W
    - 最大外壳到散热片热阻 (RthCS): 0.50 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷 (Qg): 减少了驱动需求,降低了功耗。
    - 增强的坚固性: 提高了栅极、雪崩和动态 dv/dt 的鲁棒性。
    - 全面表征: 完全表征了电容和雪崩电压,确保了可靠性和性能。
    - 环保合规: 符合 RoHS 指令 2002/95/EC,适合环保要求高的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电源转换:适用于开关电源中的高效率转换。
    - 驱动电机:用于电机驱动系统,提供高效的电流控制。
    - 工业控制:用于工业自动化设备中的功率控制。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,应注意散热管理,以确保器件在高温下仍能正常工作。
    - 使用合适的驱动电路,以减少门极电荷的影响。
    - 在关键应用中,建议进行详细的电气和热仿真,以验证器件的适用性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准 TO-220AB 封装兼容,易于安装和替换。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术文档和支持,包括详细的电气特性、热特性以及使用建议。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备过热
    - 解决方案: 检查散热片是否正确安装,确保良好的热传导。如果必要,增加外部冷却措施。
    - 问题2: 驱动电路不稳定
    - 解决方案: 检查驱动电路的设计,确保适当的门极电阻和驱动电压。考虑使用专用驱动芯片来提高稳定性。
    - 问题3: 开关损耗高
    - 解决方案: 优化电路布局,减少寄生电感和电容的影响。选择合适的驱动波形和频率,以降低开关损耗。

    7. 总结和推荐


    F730B-VB N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的器件,适用于多种高功率应用。它的低门极电荷、增强的坚固性和全面的表征使其成为市场上非常有竞争力的产品。我们强烈推荐在需要高效、稳定和可靠的功率控制应用中使用这款器件。
    以上是对 F730B-VB N-Channel MOSFET 的详细介绍。希望这些信息能够帮助您更好地理解和使用该产品。

F730B-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 13A
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

F730B-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

F730B-VB数据手册

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F730B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 3.4551
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