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NTB75N03RT4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,170A,RDS(ON),3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO263 可用作电机驱动器的功率开关管,用于控制工业机器人、输送带等设备的启停和转速,提高生产线的自动化程度和生产效率。
供应商型号: NTB75N03RT4G-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTB75N03RT4G-VB

NTB75N03RT4G-VB概述

    NTB75N03RT4G N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTB75N03RT4G 是一款 N 沟道 30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。它主要用于 OR-ing 应用、服务器以及 DC/DC 转换器等场合。本产品符合 RoHS 指令 2011/65/EU,并通过了 100% 的 Rg 和 UIS 测试。

    技术参数


    - 工作电压:漏源电压 \( V{DS} \) 为 30V。
    - 最大电流:连续漏极电流 \( I{D} \) 为 98A(\( T{J} = 175°C \),\( T{C} = 25°C \))。
    - 电阻:导通状态下漏源电阻 \( R{DS(on)} \) 在 \( V{GS} = 10V \) 时为 0.0038Ω(对应 \( I{D} = 28.8A \));在 \( V{GS} = 4.5V \) 时为 0.0044Ω(对应 \( I{D} = 27A \))。
    - 充电量:总栅极电荷 \( Qg \) 在 \( V{GS} = 10V \),\( I{D} = 28.8A \) 时为 171nC;在 \( V{GS} = 4.5V \),\( I{D} = 28.8A \) 时为 81.5nC。
    - 热阻抗:最大结到环境的热阻 \( R{thJA} \) 为 32-40°C/W。
    - 绝对最大额定值:漏源电压 \( V{DS} \) 为 30V,栅源电压 \( V{GS} \) 为 ±20V,脉冲漏极电流 \( I{DM} \) 为 300A,单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \) 为 64.8V,最大功耗 \( PD \) 为 250W(\( T{C} = 25°C \))。

    产品特点和优势


    1. 高效能:低 \( R{DS(on)} \),在不同工作条件下的阻抗表现出色。
    2. 可靠性高:100% Rg 和 UIS 测试,确保产品的可靠性和稳定性。
    3. 兼容性好:适用于多种电路设计,尤其是服务器和 OR-ing 应用。
    4. 安全保护:具备多种保护机制,如过流保护和过温保护,保证设备的长期运行。

    应用案例和使用建议


    - OR-ing 应用:在多路电源系统中,可以作为主控开关来防止反向电流,提升系统的稳定性和安全性。
    - 服务器:适用于服务器电源管理系统,提高能源转换效率,减少功耗。
    - DC/DC 转换器:在 DC/DC 转换器中,作为开关器件来实现高效的电压转换。
    使用建议:
    - 温度管理:保持合适的散热措施,避免因过热导致器件损坏。
    - 电流限制:在设计电路时,合理设置电流限值,避免超过器件的最大电流。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NTB75N03RT4G 可以与大多数常见的电源管理和控制系统兼容。
    - 支持:提供详细的技术文档和专业的技术支持服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:过热导致 MOSFET 失效。
    - 解决方案:增加散热装置,如散热片或风扇,确保良好的散热环境。
    - 问题 2:电流超出额定值。
    - 解决方案:检查负载电流,确保不超过 MOSFET 的最大电流。
    - 问题 3:MOSFET 工作不稳定。
    - 解决方案:确认驱动信号和电源电压,确保信号波形和电源电压在规定范围内。

    总结和推荐


    NTB75N03RT4G N-Channel 30-V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,具有优异的热性能和低阻抗特性。它的应用广泛,特别适合用于服务器、OR-ing 应用和 DC/DC 转换器等领域。综合考虑其性能、可靠性及适用性,强烈推荐使用此产品。

NTB75N03RT4G-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 170A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTB75N03RT4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTB75N03RT4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTB75N03RT4G-VB NTB75N03RT4G-VB数据手册

NTB75N03RT4G-VB封装设计

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