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UT2302G-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: UT2302G-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2302G-AE3-R-VB

UT2302G-AE3-R-VB概述

    # UT2302G-AE3-R N-Channel 20V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT2302G-AE3-R 是一款 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),额定电压为 20V(D-S)。这款器件采用 TrenchFET® 技术制造,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。它广泛应用于 DC/DC 转换器及便携设备中的负载开关。其无卤素设计符合环保标准,同时也符合 RoHS 指令的要求。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):20 V
    - 最大漏源连续电流 (ID):
    - TC = 25 °C 时:6 A
    - TC = 70 °C 时:5.1 A
    - TA = 25 °C 时:5.0 A
    - TA = 70 °C 时:4.0 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):20 A
    - 最大功耗 (PD):
    - TC = 25 °C 时:2.1 W
    - TC = 70 °C 时:1.3 W
    - 热阻 (RthJA):
    - 最大值:80 °C/W
    - 稳态最大值:40 °C/W
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):1 μA(VDS = 20 V,VGS = 0 V)
    - 最大结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55 至 150 °C
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 4.5 V,ID = 5.0 A 时:0.028 Ω
    - VGS = 2.5 V,ID = 4.7 A 时:0.042 Ω
    - VGS = 1.8 V,ID = 4.3 A 时:0.050 Ω

    产品特点和优势


    UT2302G-AE3-R 的主要优势在于其低导通电阻和高电流处理能力。这种特性使其非常适合用于需要高效率和低损耗的应用,如 DC/DC 转换器和便携式设备中的负载开关。此外,其无卤素和 RoHS 合规的设计使其适用于环保要求较高的市场。

    应用案例和使用建议


    UT2302G-AE3-R 在多个应用场景中表现出色,特别是在高功率密度和低损耗的场合下。例如,在便携式设备中作为负载开关时,它能够提供高效的电流控制。在使用过程中,需要注意散热管理以确保器件的长期可靠性。建议在高功率应用中使用适当的散热措施,如散热片或强制风冷。

    兼容性和支持


    UT2302G-AE3-R 采用 SOT-23 封装,便于表面贴装,且与常见的 PCB 设计兼容。厂商提供详细的电气特性和机械特性参数,方便用户在设计过程中进行选型和验证。此外,制造商还提供技术支持和服务热线,以解决用户可能遇到的技术问题。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何避免器件过热?
    解决方案:合理设计散热方案,确保器件在正常工作范围内运行。可以使用散热片或强制风冷来提高散热效率。
    问题2:如何确保电路稳定性?
    解决方案:遵循推荐的电路布局和元件选择,确保连接线的阻抗匹配,以减少寄生电容的影响。
    问题3:如何处理器件失效问题?
    解决方案:定期检查器件的工作状态,一旦发现异常,立即采取措施,如更换故障器件或重新设计电路。

    总结和推荐


    UT2302G-AE3-R N-Channel 20V MOSFET 凭借其卓越的导通电阻和电流处理能力,以及无卤素和 RoHS 合规的设计,在多种应用中表现出色。我们强烈推荐此款器件给需要高效率和低损耗的电子设备设计者和制造商。通过合理的电路设计和散热管理,该器件能够在高功率应用中发挥出色的表现。

UT2302G-AE3-R-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs-栅源极电压 8V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 6A
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2302G-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2302G-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2302G-AE3-R-VB UT2302G-AE3-R-VB数据手册

UT2302G-AE3-R-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
库存: 400000
起订量: 115 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:115
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型号 价格(含增值税)
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