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FCP11N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,15A,RDS(ON),300mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: FCP11N60F-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FCP11N60F-VB

FCP11N60F-VB概述

    FCP11N60F-VB N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FCP11N60F-VB 是一款N沟道超结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高电压、大电流的应用场景。它具有低通态电阻和高耐压特性,适用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)等。此外,它还广泛应用于照明系统(如高强度放电灯、荧光灯镇流器)、工业设备(如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器、可再生能源系统,尤其是光伏逆变器)等领域。

    技术参数


    以下是FCP11N60F-VB 的关键技术参数摘要:
    - 最高击穿电压 \( V{DS} \): 650V
    - 通态电阻 \( R{DS(on)} \)(25°C时):0.23Ω
    - 典型总栅极电荷 \( Qg \): 24nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 6nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 11nC
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \): 45A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 286mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \): 180W
    - 结温及存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55°C至+150°C
    - 极限参数中,栅源电压 \( V{GS} \): ±30V
    - 环境温度为25°C时,连续漏极电流 \( ID \): 15A(TC = 25°C)

    产品特点和优势


    FCP11N60F-VB 具备以下独特的功能和优势:
    - 低栅极损耗: 总栅极电荷低(24nC),减少开关损耗。
    - 快速开关性能: 低输入电容(Ciss),提高高频开关性能。
    - 优良的热稳定性: 在高温环境下依然保持良好的导电性能,适用于严苛的工作环境。
    - 高可靠性: 高额定雪崩能量(UIS),在极端条件下也能保持稳定性能。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于多个领域,包括但不限于:
    - 服务器和电信电源系统
    - 工业设备中的电机驱动、电池充电器等
    使用建议:
    - 对于需要快速开关的应用场合,应选择低栅极电荷和低输入电容的产品。
    - 在设计电路时,应考虑散热措施,以确保器件在高温环境下仍能正常工作。

    兼容性和支持


    该产品可与其他标准的功率MOSFET和相关电源模块配合使用。厂商提供了详细的使用指南和技术支持,以确保客户能够正确安装和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    以下是一些可能遇到的问题及其解决方案:
    - 问题: 设备启动时发生过电流现象。
    - 解决办法: 检查电路中的电流限制设置,确保合理控制电流。
    - 问题: 设备在高环境温度下性能下降。
    - 解决办法: 加强散热措施,如增加散热片或风扇等冷却设备。

    总结和推荐


    总体而言,FCP11N60F-VB 是一款性能优越、应用广泛的N沟道超结功率MOSFET。它的低通态电阻和高耐压特性使其在多种高电压、大电流应用中表现出色。同时,其快速开关性能和高可靠性也使其在各种严苛环境中都能保持稳定的运行状态。因此,强烈推荐该产品用于各类高性能电力电子应用。

FCP11N60F-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 300mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 15A
配置 -
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FCP11N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FCP11N60F-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FCP11N60F-VB FCP11N60F-VB数据手册

FCP11N60F-VB封装设计

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