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K1620L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,30A,RDS(ON),56mΩ@10V,20Vgs(±V);3.3Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: K1620L-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1620L-VB

K1620L-VB概述


    产品简介


    N-Channel 200V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的电子元器件,适用于多种电力转换和控制应用。这款MOSFET具有TrenchFET®沟槽结构,具备出色的导电性能和可靠性。主要应用于开关电源、电机驱动等领域。

    技术参数


    以下是该N-Channel 200V MOSFET的技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | 200 | - | - | V |
    | 门极-体泄漏电流 | IGSS | - | ±100 | - | nA |
    | 零门电压漏极电流 | IDSS | 1 | - | 250 | µA |
    | 通态漏极电流 | ID(on) | - | 40 | - | A |
    | 通态漏源电阻 | RDS(on) | 0.056 | - | 0.260 | Ω |
    | 输入电容 | CISS | 2400 | - | - | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | - | 280 | pF |
    | 反向转移电容 | CRSS | - | - | 180 | pF |
    | 总门极电荷 | QG | - | 40 | - | nC |
    其他关键参数包括:
    - 连续漏极电流(TJ = 175°C):25 A
    - 最大功率耗散:145 W(TC = 25°C)
    - 最高工作温度:175 °C

    产品特点和优势


    1. TrenchFET®技术:采用先进的沟槽结构,显著提高开关速度和降低损耗。
    2. 高温适应性:能够在高达175°C的结温环境下稳定工作,适用于严苛的工业环境。
    3. PWM优化:专为脉冲宽度调制(PWM)设计,确保高效的能量转换。
    4. 100% Rg测试:所有产品均经过严格的栅极电阻测试,确保一致性和可靠性。
    5. RoHS合规:符合欧盟RoHS指令要求,环保安全。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源管理:作为开关电源中的主侧开关,实现高效的能量转换。
    - 电机驱动:用于驱动各类直流电机,提供快速响应和低损耗。
    使用建议
    1. 散热设计:由于功率较大,需要良好的散热设计,确保结温不超过最大限制。
    2. 电路布局:尽量缩短引线长度,减少杂散电感,提高系统效率。
    3. PWM信号优化:确保PWM信号质量,避免误触发和过热。

    兼容性和支持


    该N-Channel 200V MOSFET可与其他常见的MOSFET驱动电路兼容,适合多种工业标准的应用场景。厂商提供详尽的技术支持文档和专业的技术支持团队,确保客户在使用过程中能够获得及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET发热严重。
    - 解决方法:检查散热片是否安装正确,增加散热面积或使用风扇辅助冷却。
    2. 问题:PWM信号不稳定。
    - 解决方法:优化电源供应和接地,确保信号质量和稳定性。
    3. 问题:栅极电压过高。
    - 解决方法:加装合适的栅极电阻,避免门极电压超出安全范围。

    总结和推荐


    N-Channel 200V MOSFET凭借其高效能、宽温度范围和出色的可靠性,成为电力电子领域的重要选择。特别适合于高压、大电流的应用场合。强烈推荐给寻求高效、可靠电源解决方案的设计工程师。

K1620L-VB参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 30A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 56mΩ@ 10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.3V
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K1620L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1620L-VB数据手册

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K1620L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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型号 价格(含增值税)
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