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J625-T1B-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:'SOT23-3\n一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: J625-T1B-A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J625-T1B-A-VB

J625-T1B-A-VB概述


    产品简介


    P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
    本文将重点介绍一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),型号为J625-T1B-A。此款MOSFET属于电压控制型电子元件,具有显著的低导通电阻和高速开关特性。它的主要功能是在电子电路中用作负载开关或电源管理的关键组件。典型的应用领域包括负载开关、PA(功率放大器)开关和DC/DC转换器等。

    技术参数


    以下是关于J625-T1B-A的详细技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | -20 | - | V |
    | 连续漏极电流 (TC = 25°C) | ID | - | -5 | - | A |
    | 最大功率耗散 (TC = 25°C) | PD | - | 2.5 | - | W |
    | 额定工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |
    | 热阻 (最大) | RthJA | - | - | 100 | °C/W |
    | 热阻 (最大) | RthJF | - | - | 50 | °C/W |

    产品特点和优势


    - 无卤材料:符合IEC 61249-2-21定义标准,满足环保要求。
    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的沟槽技术,提高能效和可靠性。
    - 100% RG测试:确保每批次产品都经过严格的RG测试,以保障质量。
    - RoHS合规:完全符合欧盟RoHS指令,安全可靠。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:用于需要频繁开关的电力设备中,如计算机电源管理。
    - PA开关:适用于无线通信系统,实现高效且快速的信号传输切换。
    - DC/DC转换器:用于电信设备中,实现不同电压水平之间的稳定转换。
    使用建议
    为了最大化其性能,建议用户在设计电路时考虑适当的散热措施,特别是当负载较大时。此外,注意保持栅极驱动电压在规定范围内,避免损坏器件。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品采用标准的SOT-23封装,可直接替换市面上大部分相同封装的同类产品。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持,包括在线资料、电话咨询等。同时,提供详细的安装指南和应用实例,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下表现不佳。
    - 解决方案:确保散热良好,使用合适的散热片或冷却系统。
    2. 问题:无法正常启动。
    - 解决方案:检查连接线路是否正确,确保电源电压和驱动信号均在规范内。
    3. 问题:开关频率不稳定。
    - 解决方案:优化驱动电路,调整栅极电阻,确保稳定的开关频率。

    总结和推荐


    J625-T1B-A是一款具备高性价比和高性能的P沟道MOSFET,适用于多种电力管理应用场景。它不仅在电气特性和热性能上表现出色,还拥有无卤材料和RoHS合规的优势,适合现代电子设备的设计需求。鉴于其良好的性能和广泛的适用性,强烈推荐在需要高效电力管理和高可靠性应用中使用。

J625-T1B-A-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4A
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 12V
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J625-T1B-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J625-T1B-A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J625-T1B-A-VB J625-T1B-A-VB数据手册

J625-T1B-A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
115+ ¥ 0.2328
300+ ¥ 0.2156
500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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交货地:
最小起订量为:115
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型号 价格(含增值税)
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