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K18A50D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: K18A50D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K18A50D-VB

K18A50D-VB概述

    K18A50D-VB 650V N-Channel Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K18A50D-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的高性能 N 沟道超级结功率 MOSFET。这款 MOSFET 的主要功能是在高电压和大电流环境下提供高效能的电能转换,适用于多种工业和消费电子产品。它的主要应用领域包括服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)、以及照明(如高强度放电灯和荧光灯)和工业控制设备。

    2. 技术参数


    以下是 K18A50D-VB 的关键技术参数和性能指标:
    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 最大漏源击穿电压 (VDS) 温度系数: ΔVDS/TJ (ID = 1 mA):0.67 V/°C
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2 - 5 V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):VDS = 520 V, VGS = 0 V, TJ = 125 °C 时的最大值为 500 μA
    - 导通电阻 (RDS(on)):VGS = 10 V 时为 0.19 Ω
    - 输入电容 (Ciss):2322 pF
    - 输出电容 (Coss):105 pF
    - 栅漏电荷 (Qgd):33 nC
    - 总栅电荷 (Qg):71 nC
    - 门极源极电荷 (Qgs):14 nC
    - 雪崩能量额定值 (EAS):360 mJ
    - 连续漏极电流 (ID):TC = 100 °C 时为 20 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):受最大结温限制
    - 最高结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55 到 +150 °C
    - 热阻抗 (RthJA):最大 62 °C/W

    3. 产品特点和优势


    K18A50D-VB 的主要特点和优势如下:
    - 低品质因子 (FOM):Ron x Qg 值低,表明其具有出色的开关性能和低功耗特性。
    - 低输入电容 (Ciss):减少了驱动电路的负担,提高系统的整体效率。
    - 减少的开关和导通损耗:这使得 MOSFET 在高频率应用中表现出色。
    - 超低栅极电荷 (Qg):进一步提高了开关速度和效率。
    - 雪崩能量额定值 (UIS):表明其在瞬态状态下有良好的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    K18A50D-VB 主要应用于以下几种场合:
    - 服务器和电信电源供应系统:适用于需要高效率、低损耗的电源转换场合。
    - 开关模式电源(SMPS):适合高频开关应用。
    - 功率因数校正电源供应(PFC):提高系统整体的功率因数。
    - 照明:特别是高强度放电灯和荧光灯的应用。
    - 工业:广泛应用于各种工业控制系统。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保适当的散热措施以防止过热。
    - 由于其高雪崩能量额定值,适用于需要承受高压瞬变的应用。
    - 在选择栅极驱动电阻时,注意平衡开关时间和功耗,以达到最佳效果。

    5. 兼容性和支持


    K18A50D-VB 与市场上大多数标准的 SMPS 和 PFC 设计兼容。厂商提供了详尽的技术支持和维护服务,包括在线文档、应用指南和技术咨询。如果遇到问题,用户可以联系制造商的服务热线 400-655-8788 或访问其官方网站 www.VBsemi.com 获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及解决方案:
    - 问题:MOSFET 过热
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或采用更有效的散热方案。
    - 问题:漏电流异常
    - 解决方案:确认驱动电路是否正常工作,重新检查连接和焊接点。
    - 问题:开关时间长
    - 解决方案:检查栅极电阻是否合适,调整驱动电路参数。

    7. 总结和推荐


    总体来说,K18A50D-VB 是一款性能卓越的 N 沟道超级结功率 MOSFET。其低导通电阻、低输入电容和超低栅极电荷等特点使其非常适合用于高效率的电源转换和开关应用。对于需要高可靠性和低功耗的设计项目,K18A50D-VB 是一个值得考虑的选择。
    综上所述,我强烈推荐 K18A50D-VB 作为高效率和高性能电源转换设计的理想选择。

K18A50D-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K18A50D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K18A50D-VB数据手册

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K18A50D-VB封装设计

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