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IRFI630GPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),283mΩ@10V,300mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: IRFI630GPBF-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFI630GPBF-VB

IRFI630GPBF-VB概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    本手册介绍了IRFI630GPBF-VB型号的N-通道200V(D-S)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这种MOSFET适用于广泛的电子设备和系统,包括但不限于电源转换、电机驱动、照明系统、以及其他需要高效开关和高耐压的应用场景。

    技术参数


    - 基本特性:
    - 隔离封装
    - 高电压隔离:2.5 kVRMS(t = 60秒;f = 60 Hz)
    - 管脚间爬电距离:4.8毫米
    - 最高工作温度:175°C
    - 动态dV/dt额定值
    - 低热阻
    - 铅(Pb)自由可供选择

    - 绝对最大额定值:
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 漏源电压(VDS):200 V
    - 连续漏极电流(ID):10°C时6.5 A,100°C时32 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):36 mJ
    - 最大功耗(PD):25°C时37 W
    - 规格:
    - 漏源击穿电压(VDS):200 V
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0 - 4.0 V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):25 µA(VDS = 200 V)
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):10 V栅源电压下0.265 Ω
    - 输入电容(Ciss):560 pF
    - 总栅电荷(Qg):6 nC
    - 栅源电荷(Qgs):4.4 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):7.7 nC
    - 转向延迟时间(td(on)):8 ns
    - 关断延迟时间(td(off)):-19 ns
    - 内部源电感(LS):7.5 nH
    - 反向恢复时间(trr):130 - 260 ns
    - 正向恢复电荷(Qrr):0.65 - 1.3 µC

    产品特点和优势


    IRFI630GPBF-VB MOSFET具备多项独特功能和优势:
    - 高电压隔离:2.5 kVRMS确保在高压应用中提供安全可靠的操作环境。
    - 动态dV/dt额定值:能够在动态操作条件下稳定运行。
    - 低热阻:有效的散热设计延长了器件的使用寿命并提高效率。
    - 宽工作温度范围:能够承受高达175°C的工作温度,适用于高温环境。
    这些特点使得IRFI630GPBF-VB在多种高要求应用场景中表现出色,如电力变换和控制、工业自动化等领域。

    应用案例和使用建议


    IRFI630GPBF-VB MOSFET适用于多种电子设备和系统,典型应用包括:
    - 电源转换:用于提高转换效率和稳定性。
    - 电机驱动:提供可靠的高功率开关能力。
    - 照明系统:提升能效,延长使用寿命。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意器件的最大额定值,以避免过载情况的发生。
    - 在高温环境下使用时,考虑适当的散热措施,如安装散热片或风扇。

    兼容性和支持


    IRFI630GPBF-VB MOSFET与市面上常见的其他电子元器件兼容性良好,可广泛应用于各种系统中。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中能够获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. Q:器件在高温环境下能否正常工作?
    A:能。最高工作温度为175°C,适合在高温环境中稳定运行。但需注意散热设计以确保长时间工作稳定性。
    2. Q:如何避免雪崩击穿现象?
    A:在设计电路时要合理设置电流限制,避免超过器件的最大雪崩能量和电流限制。

    总结和推荐


    IRFI630GPBF-VB MOSFET以其出色的性能和可靠性,在多种高要求应用中表现出色。其优异的高电压隔离能力和高效的开关性能使其成为电源转换和电机驱动等领域的理想选择。因此,我们强烈推荐这款产品给寻求高性能、高稳定性的工程师和设计师。
    如果您有任何疑问或需要进一步的信息,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

IRFI630GPBF-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 283mΩ@10V,300mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 10A
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFI630GPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFI630GPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFI630GPBF-VB IRFI630GPBF-VB数据手册

IRFI630GPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 2.5919
1000+ ¥ 2.4839
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