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IRFIBC40GPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: IRFIBC40GPBF-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFIBC40GPBF-VB

IRFIBC40GPBF-VB概述


    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高性能的电力电子开关器件,主要应用于高效率的电源转换系统中。它具有低导通电阻(Rds(on))和低栅极电荷(Qg),从而实现了低损耗的开关操作。本产品适合用于服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明(如高强度放电灯和荧光灯球灯)及工业领域的各种高能效需求。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | 650 | V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on)) | 1.0 | Ω |
    | 最大栅源电压(VGS) | ±30 | V |
    | 最大连续漏电流(ID) | 11 | A |
    | 最大单脉冲雪崩能量(EAS) | 97 | mJ |
    | 最大功耗(PD) | 140 | W |
    | 热阻(最高至环境温度) | 63 | °C/W |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55 to +150 | °C |
    | 输入电容(Ciss) | 28 | pF |
    | 输出电容(Coss) | 45 | pF |
    | 门极电荷(Qg) | 28 | nC |

    产品特点和优势


    该Power MOSFET具备多项显著优势:
    - 低导通电阻和低栅极电荷,有效减少开关损耗和导通损耗。
    - 高能效和可靠性,适用于要求严格的工业应用和电源系统。
    - 稳定的性能,即使在高温环境下也能保持稳定。
    - 具备优秀的反向恢复特性,适用于高频切换应用。
    - 符合RoHS标准,无卤素,适用于环保需求较高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    Power MOSFET广泛应用于多种高能效应用中,如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)和工业控制系统。例如,在一个典型的服务器电源系统中,使用这款Power MOSFET可以实现高效且可靠的电力转换,提高整体系统的能效。在使用时,建议关注散热设计,确保良好的热管理以维持稳定运行。此外,合理的电路布局可以降低寄生电感和电容,提升整体系统的可靠性。

    兼容性和支持


    该产品具有出色的兼容性,可与其他常见的电源管理系统兼容。厂商提供全面的技术支持和维护服务,包括详尽的产品文档、技术咨询和故障排除指南。建议客户在购买前联系技术支持团队,获取最佳的应用建议和设计方案。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何选择合适的栅极电阻(Rg)?
    - 解答: 根据具体应用需求,选择合适的栅极电阻以确保适当的开关时间和功耗。一般建议使用出厂推荐的栅极电阻值,如有特殊需求,可通过实验测试来确定最佳值。

    - 问题:如何改善散热效果?
    - 解答: 使用适当的散热器或冷却装置,并确保良好的散热路径设计。通过添加散热片或风扇等方式来提升散热效率,保证设备长时间稳定运行。

    总结和推荐


    总体而言,这款Power MOSFET凭借其优异的性能和广泛的应用场景,是一款非常值得推荐的电子元件。无论是对于电源管理系统还是工业控制领域,都能展现出卓越的性能。强烈建议在需要高效能、高可靠性的电力转换应用中采用此款产品。

IRFIBC40GPBF-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFIBC40GPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFIBC40GPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFIBC40GPBF-VB IRFIBC40GPBF-VB数据手册

IRFIBC40GPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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