处理中...

首页  >  产品百科  >  JZ3400-VB

JZ3400-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: JZ3400-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JZ3400-VB

JZ3400-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能的低压功率场效应晶体管(MOSFET),适用于直流转换器等应用。它采用先进的沟槽技术(TrenchFET®)制造,能够在较低的门极电压下实现高效的开关操作。该产品具有卤素无污染和符合RoHS标准的优点,使其成为现代电子设备的理想选择。

    技术参数


    以下是该N-Channel 30-V MOSFET的关键技术参数:
    - 漏源电压 \( V{DS} \):30 V
    - 持续漏电流 \( I{D} \):
    - 25 °C:6.5 A
    - 70 °C:5.0 A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \):25 A
    - 最大耗散功率 \( P{D} \):
    - 25 °C:1.7 W
    - 70 °C:1.1 W
    - 工作温度范围:-55 °C 到 150 °C
    - 热阻率 \( R{thJA} \):90 °C/W(最大值)
    - 开启电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 10 V 时:0.030 Ω
    - 4.5 V 时:0.033 Ω
    - 总栅极电荷 \( Q{g} \):
    - 10 V 时:4.5 nC(典型值)

    产品特点和优势


    - 卤素无污染:符合IEC 61249-2-21定义。
    - 高可靠性:100% Rg测试保证。
    - 低开启电阻:即使在较低的门极电压下也能实现低电阻。
    - 宽工作温度范围:适用于各种恶劣环境条件。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:该MOSFET适用于直流转换器、电机驱动和其他电源管理应用。例如,在一个典型的DC/DC转换器中,该MOSFET可以作为主开关使用。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,建议在设计中考虑散热措施。当温度升高时,可以通过外部散热片来降低热阻,提高可靠性。同时,建议在电路设计中预留足够的裕量,以应对瞬态电流冲击。

    兼容性和支持


    该MOSFET采用标准的SOT-23封装,易于与其他常见的电子元器件集成。VBsemi提供全面的技术支持和客户服务,以帮助用户快速解决问题并优化应用性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET在高温环境下运行时出现异常。
    - 解决方案:检查散热系统是否正常工作,增加散热片以降低热阻。
    2. 问题:在高频应用中出现振铃现象。
    - 解决方案:添加适当的栅极电阻以减少寄生电容的影响。
    3. 问题:MOSFET损坏,无法正常工作。
    - 解决方案:检查输入电压和电流是否超出额定范围,避免瞬态过压导致的损坏。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET具有出色的技术参数和广泛的适用范围,特别适合于要求高性能和可靠性的应用场合。其低开启电阻和卤素无污染的特点使其在市场上具有很强的竞争优势。因此,我们强烈推荐在直流转换器及其他相关应用中使用此产品。
    如有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

JZ3400-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 6.5A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
通道数量 -
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

JZ3400-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JZ3400-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JZ3400-VB JZ3400-VB数据手册

JZ3400-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
库存: 400000
起订量: 80 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:80
合计: ¥ 27.94
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831