处理中...

首页  >  产品百科  >  JCS840C-O-C-N-B-VB

JCS840C-O-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: JCS840C-O-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS840C-O-C-N-B-VB

JCS840C-O-C-N-B-VB概述

    # JCS840C-O-C-N-B-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    JCS840C-O-C-N-B-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具有较低的栅极电荷(Qg),简化了驱动要求,并具有良好的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性。该器件符合 RoHS 指令 2002/95/EC,适用于广泛的工业和消费电子产品。
    主要功能
    - 高效的驱动性能
    - 强大的抗雪崩能力
    - 低栅极电荷(Qg)
    - 支持高速开关
    应用领域
    - 工业自动化控制
    - 电机驱动
    - 电源转换器
    - 通信设备
    - LED 照明系统

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 500 | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | ± 20 | - | ± 20 | V |
    | 持续漏极电流 (25°C) | ID | - | 13 | - | A |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | - | 0.660 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 81 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 20 | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | 36 | - | nC |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | 15 | - | ns |
    | 上升时间 | tr | - | 39 | - | ns |
    | 关闭延迟时间 | td(off) | - | 39 | - | ns |
    | 下降时间 | tf | - | 31 | - | ns |

    产品特点和优势


    JCS840C-O-C-N-B-VB MOSFET 具有以下特点和优势:
    - 低栅极电荷(Qg)简化了驱动电路设计。
    - 高度可靠的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性。
    - 优良的热稳定性,最大结温高达 150°C。
    - 全面的特性测试,包括栅极电容和雪崩电压的全面表征。
    这些特性使得该 MOSFET 在需要高效能、高可靠性的应用中表现出色,使其在市场上具有较高的竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    JCS840C-O-C-N-B-VB MOSFET 在工业自动化控制系统中广泛应用于电机驱动,其高效能和可靠性能够显著提高系统的稳定性和效率。
    使用建议
    - 在选择外部驱动电路时,应考虑栅极电荷和驱动电阻的匹配。
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计以避免过热。
    - 为确保最佳性能,应在实际应用中根据具体条件对关键参数进行测试验证。

    兼容性和支持


    JCS840C-O-C-N-B-VB MOSFET 与市场上常见的标准接口兼容,方便集成到现有系统中。VBsemi 提供详细的技术文档和支持服务,以帮助用户快速解决问题并优化性能。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何正确选择合适的驱动电阻?
    2. 在高温环境下如何防止过热?
    解决方案
    1. 根据 MOSFET 的栅极电荷参数和目标应用的驱动频率来选择合适的驱动电阻。
    2. 确保散热片接触良好,必要时可采用风扇或其他主动冷却方式。

    总结和推荐


    综合评估
    JCS840C-O-C-N-B-VB MOSFET 是一款高效、可靠的产品,特别适合在需要高速开关和良好热稳定性的应用中使用。其出色的性能和广泛的应用领域使其成为市场的热门选择。
    推荐
    强烈推荐使用 JCS840C-O-C-N-B-VB MOSFET,尤其是在需要高效能和高可靠性的工业和消费电子产品中。VBsemi 提供的优质技术支持和服务将为用户提供全方位的支持和保障。

JCS840C-O-C-N-B-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 13A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS840C-O-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS840C-O-C-N-B-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS840C-O-C-N-B-VB JCS840C-O-C-N-B-VB数据手册

JCS840C-O-C-N-B-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.87
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336