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J601-Z-E1-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: J601-Z-E1-AZ-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J601-Z-E1-AZ-VB

J601-Z-E1-AZ-VB概述


    产品简介


    P-Channel 60 V MOSFET(P沟道60伏特金属氧化物半导体场效应晶体管)是一款基于TrenchFET®技术的功率MOSFET,适用于负载开关的应用。该器件主要用于开关电源、电机控制和其他需要高效率开关应用的场合。通过精确的制造工艺和高可靠性设计,该产品在电力管理和控制系统中表现出色。

    技术参数


    以下是P-Channel 60 V MOSFET的主要技术参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | - | - | -60 | V |
    | 漏电流 | - | - | -50 | A |
    | 饱和漏源电阻 | 0.020 | 0.030 | 0.035 | Ω |
    | 阈值电压 | -1.5 | - | 3 | V |
    | 最大门限源电压 | ±20 V |
    | 脉冲门限源泄漏电流 | ±100 nA |
    | 反向恢复时间 | 45 70 | ns |

    产品特点和优势


    P-Channel 60 V MOSFET具有以下显著特点和优势:
    1. 低饱和电阻:RDS(on)最低为0.020Ω,这有助于减少功耗,提高系统整体效率。
    2. 高耐压:最大耐压为-60V,适合高电压应用。
    3. 卓越的热稳定性:在高温环境下依然能够保持稳定的性能表现。
    4. 优秀的反向恢复特性:快速的反向恢复时间提高了电路的整体性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    P-Channel 60 V MOSFET广泛应用于负载开关,例如在直流电机驱动、负载均衡和逆变器等领域。这些应用要求设备能够在高压下稳定运行,并且具备良好的抗干扰能力和热稳定性。
    使用建议
    1. 散热设计:由于该器件的工作电流较大,因此必须确保良好的散热措施,如使用散热片或散热器,以防止过热损坏。
    2. 驱动电路设计:为了保证快速的开关速度和减少损耗,建议使用合适的门极驱动电路,确保门极信号的稳定和迅速。
    3. PCB布局:在电路板上布置时,尽量缩短引脚之间的走线长度,减少杂散电感和寄生电容的影响。

    兼容性和支持


    P-Channel 60 V MOSFET与标准TO-252封装兼容,便于安装和更换。制造商VBsemi提供详尽的技术文档和应用指南,帮助用户更好地理解和使用该器件。此外,公司还提供了专业的技术支持团队,可以解答用户的疑问并提供必要的维护服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 过热现象 | 确保适当的散热措施,如增加散热片或风扇。 |
    | 开关频率不稳定 | 优化门极驱动电路,确保信号稳定。 |
    | 噪声干扰 | 使用滤波器减少外部噪声干扰。 |

    总结和推荐


    P-Channel 60 V MOSFET以其卓越的性能和可靠性,在负载开关应用中表现出色。其低饱和电阻、高耐压和出色的热稳定性使其成为众多电力管理和控制系统中的优选器件。推荐给对性能和可靠性有高要求的应用场景,特别是那些需要高电压和大电流处理能力的场合。

J601-Z-E1-AZ-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.76V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@10V,25mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J601-Z-E1-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J601-Z-E1-AZ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J601-Z-E1-AZ-VB J601-Z-E1-AZ-VB数据手册

J601-Z-E1-AZ-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1091
100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.6485
2500+ ¥ 2.5333
库存: 400000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
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