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NP82N10PUF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,100A,RDS(ON),10mΩ@10V,23mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO263\n可用作变频器电路中的开关器件,用于控制交流电机的速度和转向。其高性能和可靠性使其适用于工业设备的变频驱动,如风机、水泵等,提高了工业生产过程中的能效和自动化水平。
供应商型号: NP82N10PUF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP82N10PUF-VB

NP82N10PUF-VB概述

    # N-Channel 100-V MOSFET NP82N10PUF 技术手册

    产品简介


    NP82N10PUF 是一款高性能的 N 沟道 100-V 击穿电压(D-S)功率 MOSFET。它采用了先进的 TrenchFET® 技术,具有卓越的热稳定性和高可靠性。该产品适用于多种应用领域,如电源转换、电机驱动、照明系统和各种开关电路等。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 100 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 连续漏电流 (结温 150°C) \(ID\):
    - \(TC = 25 °C\): 100 A
    - \(TC = 125 °C\): 75 A
    - 脉冲漏电流 \(I{DM}\): 300 A
    - 单脉冲雪崩电流 \(I{AS}\): 75 A
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 280 mJ
    - 最大耗散功率:
    - \(TC = 25 °C\) (TO-220AB 和 TO-263): 250 W
    - \(TA = 25 °C\) (TO-263): 3.75 W
    - 存储温度范围 \(T{STG}\): -55 至 175 °C
    额定温度下的特性
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 10 V\), \(ID = 30 A\): 0.010 Ω
    - \(V{GS} = 4.5 V\), \(ID = 20 A\): 0.023 Ω
    - 零栅压漏电流 \(I{DSS}\):
    - \(V{DS} = 100 V\), \(V{GS} = 0 V\): 1 µA
    - \(V{DS} = 100 V\), \(V{GS} = 0 V\), \(TJ = 125 °C\): 50 µA
    - \(V{DS} = 100 V\), \(V{GS} = 0 V\), \(TJ = 175 °C\): 250 µA
    - 输入电容 \(C{iss}\): \(V{GS} = 0 V\), \(V{DS} = 25 V\), \(f = 1 MHz\): 6550 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 665 pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 265 pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): \(V{DS} = 50 V\), \(V{GS} = 10 V\), \(ID = 85 A\): 105 nC

    产品特点和优势


    NP82N10PUF 的关键特点包括:
    - 高温稳定性: 最大结温可达 175 °C,保证在高温环境下仍能正常工作。
    - 快速开关性能: 具有出色的动态特性和低栅极电荷,确保高速开关操作。
    - 高可靠性: 符合 RoHS 指令 2002/95/EC,无铅且环保。
    - 宽工作温度范围: -55 至 175 °C,适用于各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NP82N10PUF 可广泛应用于以下领域:
    - 电源转换: 在高效电源转换器中作为开关器件。
    - 电机驱动: 在伺服电机和其他电动机控制电路中使用。
    - 照明系统: 用于 LED 照明系统的驱动电路。
    - 开关电路: 作为开关器件应用于各种电力电子电路。
    使用建议
    - 散热设计: 由于高功耗可能导致器件过热,建议使用散热片或散热风扇以保证散热效果。
    - 保护措施: 在高压和大电流应用中,建议添加适当的保护电路以防止过流和过压情况。
    - 驱动电路设计: 考虑到 MOSFET 的高阈值电压,设计驱动电路时需确保足够的驱动能力。

    兼容性和支持


    NP82N10PUF 与大多数标准接口兼容,可与现有的电路板和模块无缝集成。厂商提供详尽的技术支持和维护服务,包括设计咨询、故障排查和技术培训。

    常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    1. 问题: 过高的栅极电压导致 MOSFET 损坏。
    - 解决方案: 确保栅极电压不超过 ±20 V,使用合适的栅极电阻来限制电流。

    2. 问题: 开关过程中出现不稳定状态。
    - 解决方案: 检查驱动电路设计,确保有足够的驱动电流和适当的栅极电阻。

    总结和推荐


    NP82N10PUF 作为一款高性能的 N 沟道 MOSFET,在多种应用场景中表现出色。其卓越的热稳定性和高可靠性使其成为电源管理和电机控制的理想选择。对于需要高速开关和高温稳定性的场合,强烈推荐使用此产品。

NP82N10PUF-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,23mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 100A
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP82N10PUF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP82N10PUF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP82N10PUF-VB NP82N10PUF-VB数据手册

NP82N10PUF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
800+ ¥ 3.6425
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型号 价格(含增值税)
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