处理中...

首页  >  产品百科  >  4521GEH-VB

4521GEH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N+P—Channel沟道,±40V,50/-50A,RDS(ON),15mΩ@10V,18.75mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1Vth(V) 封装:TO252-5
供应商型号: 4521GEH-VB TO252-5
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4521GEH-VB

4521GEH-VB概述

    # N-Channel and P-Channel 40V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品为N-Channel和P-Channel双极40V(漏源电压)MOSFET,采用了先进的TrenchFET®功率MOSFET技术。这些MOSFET主要用于电源转换、电池管理以及CCFL逆变器等领域。N-Channel和P-Channel MOSFET通常成对使用,以提供完整的电源控制解决方案。

    技术参数


    以下是关键的技术规格和电气特性:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 40V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 持续漏电流 \( ID \)(\( TC=25^\circ\text{C} \)): 50A
    - 持续源电流 \( IS \): 50A
    - 单脉冲雪崩电流 \( I{AS} \): 30A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 245mJ
    - 最大功耗 \( PD \)(\( TC=25^\circ\text{C} \)): 108W
    - 热阻 \( R{thJA} \): 85°C/W
    - 工作温度范围 \( TJ, T{stg} \): -55°C到+175°C
    特性描述
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0V 至 3.0V
    - 门极漏电流 \( I{GSS} \): ±100nA
    - 零栅压漏电流 \( I{DSS} \): 1μA(40V时)

    产品特点和优势


    - TrenchFET®技术: 该技术能够显著降低导通电阻,提高效率。
    - 可靠测试: 100%的门极电阻和UIS测试,确保产品可靠性。
    - 多温度适用: 温度范围宽,适用于各种恶劣环境。
    - 高功率处理能力: 最大功率处理能力达到108W,适用于高功率应用场合。
    - 易于集成: 可与标准PCB轻松焊接。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - CCFL逆变器: 在荧光灯驱动电路中,这些MOSFET可以提供稳定的电流和电压控制。
    - 电源转换: 可用于各类直流到交流转换器中,特别是在高压输出场合。
    使用建议
    - 在设计电路时,需考虑到最大雪崩电流和能量限制。
    - 选择合适的栅极电阻以避免开关速度过快导致的振铃现象。
    - 电路布局时应注意散热,以保证长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 这些MOSFET可直接替换市场上常见的同类型号,无需更改电路设计。
    - 制造商提供详细的技术文档和支持,包括设计指南和故障排查工具。
    - 售后服务热线:400-655-8788,随时解答您的技术疑问。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过低导致效率低下 | 调整门极电阻,降低寄生电感。 |
    | 功率损耗过大 | 改善散热措施,增加散热片。 |
    | 电路噪音过大 | 使用LC滤波器滤除高频干扰。 |

    总结和推荐


    这款N-Channel和P-Channel 40V MOSFET凭借其高效能、高可靠性和广泛的适用范围,在多种电源管理和控制应用中表现出色。适用于各类高功率、高效率的应用场合。强烈推荐在新项目中选用,以提升整体系统性能。

4521GEH-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 50A,50A
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@10V,18.75mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 ±40V
FET类型 N+P沟道
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-252-5
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4521GEH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4521GEH-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4521GEH-VB 4521GEH-VB数据手册

4521GEH-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336