处理中...

首页  >  产品百科  >  K8A55DA-VB

K8A55DA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K8A55DA-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K8A55DA-VB

K8A55DA-VB概述

    Power MOSFET K8A55DA 技术手册

    1. 产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于电源管理和转换的关键电子元器件。本手册介绍的是型号为K8A55DA的Power MOSFET,具有出色的低导通电阻和低门极电荷特性,适用于多种电力电子系统。K8A55DA的主要功能是实现高效能的电源开关和转换,广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)、照明系统及工业控制等领域。

    2. 技术参数


    - 关键特性:
    - 低关断电阻 \( R{DS(on)} \) 最大值:1.0 Ω(在25℃时)
    - 低输入电容 \( C{iss} \)
    - 减少开关损耗和导通损耗
    - 超低栅极电荷 \( Qg \) 最大值:13 nC
    - 雪崩能量额定值 \( E{AS} \):97 mJ
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \):650 V
    - 栅极-源极电压 \( V{GS} \):±30 V
    - 持续漏极电流(TJ=150℃):17.5 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \):97 mJ
    - 工作环境:
    - 最高工作温度:150 ℃
    - 储存温度范围:-55 ℃至150 ℃

    3. 产品特点和优势


    K8A55DA具备以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻:降低电力损耗,提高系统效率。
    - 低栅极电荷:减少开关过程中的能量消耗,提高开关速度。
    - 高雪崩能量额定值:能够承受较大的瞬态电压冲击,保证可靠性。
    - 低输入电容:减少驱动电路复杂度,提升系统的稳定性。
    这些特性使得K8A55DA在电力管理领域表现出色,尤其是在服务器和通信电源供应系统中,展现出卓越的性能和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应系统:K8A55DA适用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。在这些系统中,它的低损耗和高可靠性可以显著提升整体性能。

    - 开关模式电源供应(SMPS):在高频开关电源中,K8A55DA的低栅极电荷和高雪崩能量额定值可以有效提高转换效率,减少发热,延长使用寿命。

    - 功率因数校正电源供应(PFC):在PFC电路中,K8A55DA的低导通电阻特性可以有效减少输出波纹,提高电能质量。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意散热措施,确保器件处于安全的工作温度范围内。
    - 使用合适的驱动电路,以优化开关速度并减少损耗。
    - 注意电容的选择,以匹配MOSFET的输入电容要求。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K8A55DA与大多数主流的开关电源电路和驱动器兼容,可用于现有系统升级或新设计。
    - 支持:台湾VBsemi提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的用户手册和技术文档。如果在应用过程中遇到任何问题,可通过服务热线联系技术支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:温度超过额定范围
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或风扇进行强制冷却。

    - 问题2:器件出现过压击穿
    - 解决方案:确保电路中的保护措施到位,如增加浪涌保护二极管或设置合理的过压保护电路。
    - 问题3:电路启动后无法正常工作
    - 解决方案:检查驱动电路是否正确连接,确保驱动信号符合器件要求。

    7. 总结和推荐


    K8A55DA是一款高性能的Power MOSFET,具备低导通电阻、低栅极电荷和高雪崩能量额定值等显著优势。它特别适合用于高效率、高可靠性的电力电子系统中,如服务器、电信电源供应系统、SMPS和PFC等。其广泛的应用场景和良好的性能使其成为同类产品中的佼佼者。
    综上所述,我们强烈推荐K8A55DA用于需要高性能电力管理解决方案的应用场合。

K8A55DA-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K8A55DA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K8A55DA-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K8A55DA-VB K8A55DA-VB数据手册

K8A55DA-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336