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NTP5411NG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220\n在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
供应商型号: NTP5411NG-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTP5411NG-VB

NTP5411NG-VB概述

    NTP5411NG N-Channel 60 V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTP5411NG 是一种 N 沟道 60V(D-S)功率 MOSFET,专为需要高可靠性和高效能的应用设计。这种 MOSFET 配备了先进的沟槽工艺技术(TrenchFET®),适用于广泛的电力管理和转换任务。它特别适合应用于电机驱动、电源转换器、焊接设备和各类工业控制系统。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 栅源电压:±20 V
    - 连续漏极电流(TJ = 175 °C):120 A
    - 脉冲漏极电流:350 A
    - 最大耗散功率(TC = 25 °C):136 W
    - 最大耗散功率(TA = 25 °C):3 W
    - 热阻:稳态下 40-50 °C/W
    - 电气特性:
    - 击穿电压:60 V
    - 栅阈值电压:2~4 V
    - 零栅电压漏极电流:1 μA
    - 开启状态漏极电流:60 A
    - 开启状态下漏源导通电阻:5 mΩ(VGS = 10 V, ID = 20 A)
    - 动态特性:
    - 输入电容:6800 pF
    - 输出电容:570 pF
    - 反向传输电容:325 pF
    - 总栅电荷:47~70 nC
    - 温度特性:
    - 工作温度范围:-55 °C 到 175 °C

    3. 产品特点和优势


    NTP5411NG 具有多个显著的优势,使其在各种电力管理和转换应用中脱颖而出:
    - 高温耐受性:该 MOSFET 能够在高达 175 °C 的结温下工作,保证在极端环境下依然能够正常运行。
    - 低导通电阻:RDS(on) 在标准条件下仅为 5 mΩ,有效降低功耗和热损耗。
    - 高可靠性:采用 TrenchFET® 工艺技术,确保了高可靠性和长寿命。
    - 快速开关:具有较低的栅电荷和快速的开关时间,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    NTP5411NG 广泛应用于多种电力转换系统,例如电机驱动器、直流-直流转换器、焊接设备和各类工业控制系统。在实际应用中,为了确保最佳性能,建议进行如下配置:
    - 散热设计:由于该器件具有较高的功率密度,良好的散热措施必不可少。建议使用高效散热片或散热器,以避免过热导致的损坏。
    - 保护电路:考虑到 MOSFET 在开关过程中可能产生的瞬时高压,设计适当的保护电路以防止电压过高而损坏器件。
    - 负载管理:合理配置负载,确保电流不超过器件的最大额定值,特别是在高频率工作模式下。

    5. 兼容性和支持


    NTP5411NG 采用了标准 TO-220AB 封装,便于与其他电子元件和设备进行集成。VBsemi 提供了详尽的技术支持,包括在线资源、技术支持热线和服务团队。用户可以通过这些渠道获得有关产品使用的详细指导和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:器件工作时发热严重。
    - 解决方案:检查散热措施是否足够,确保散热器安装正确且散热面没有灰尘或阻碍物。
    - 问题:开关过程中出现明显的噪声。
    - 解决方案:添加滤波电容来减少噪声,并确保连接引脚的走线尽可能短。
    - 问题:器件性能不稳定。
    - 解决方案:检查工作温度是否超出了规定的范围,并确保负载稳定,避免过载情况发生。

    7. 总结和推荐


    NTP5411NG 作为一款高性能的 N 沟道 MOSFET,在电力转换和控制领域表现出色。其高温耐受性、低导通电阻和高可靠性使得它成为众多应用的理想选择。如果你正在寻找一个稳定、高效的电力转换解决方案,NTP5411NG 绝对值得考虑。
    综上所述,NTP5411NG 是一款值得推荐的产品,它不仅具备卓越的技术性能,还提供了广泛的应用潜力。

NTP5411NG-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 120A
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,44mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

NTP5411NG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTP5411NG-VB数据手册

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NTP5411NG-VB封装设计

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