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HFP2N65S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: HFP2N65S-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFP2N65S-VB

HFP2N65S-VB概述


    产品简介


    HFP2N65S-VB MOSFET
    HFP2N65S-VB 是一款高性能的 N 沟道 650V MOSFET,适用于各种电力电子应用。该产品通过低门极电荷和改进的雪崩耐受性,为设计者提供了简单而高效的驱动需求。广泛应用于电机控制、电源转换、逆变器、焊接设备等需要高电压和大电流的应用场景。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 650 V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2.0 4.0 | V |
    | 门极漏电流 | IGSS ±100 | nA |
    | 零门电压漏电流 | IDSS 25 | μA |
    | 导通电阻 | RDS(on) 4.0 Ω |
    | 输入电容 | Ciss 417 pF |
    | 输出电容 | Coss 45 pF |
    | 有效输出电容 | Coss eff. | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg 11 | nC |
    | 门极-源极电荷 | Qgs | 2.3 nC |
    | 门极-漏极电荷 | Qgd | 5.2 nC |
    | 最大重复雪崩能量 | EAS 165 mJ |
    | 最大脉冲漏电流 | IDM 8 A |
    | 最大连续功率损耗 | PD 45 W |
    | 最大结温 | TJ, TSTG | -55 150 | °C |

    产品特点和优势


    HFP2N65S-VB 具有以下显著特点和优势:
    - 低门极电荷:低门极电荷意味着简单的驱动需求,减少驱动电路的设计复杂度。
    - 增强的抗压能力:在门极、雪崩和动态 dV/dt 方面具有更高的耐用性,增强了产品的可靠性。
    - 完全特性化:产品的电容和雪崩电压、电流已经过全面测试和特性化。
    - 符合 RoHS 指令:产品符合 RoHS 指令 2002/95/EC,确保环保和安全标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    HFP2N65S-VB 广泛应用于电机控制、电源转换、逆变器和焊接设备等领域。其高电压和大电流的能力使其在这些应用场景中表现卓越。
    使用建议
    - 在选择驱动电路时,应注意门极电荷和漏极-源极电压的关系,以确保稳定的运行。
    - 在高频开关应用中,注意散热设计,避免温度过高导致性能下降。
    - 根据具体应用需求选择合适的驱动电阻和门极电荷配置。

    兼容性和支持


    HFP2N65S-VB 可以与其他标准组件如 N 沟道 MOSFET 和电源设备兼容。厂商提供详细的技术文档和支持服务,帮助客户进行产品选型和设计。此外,厂商还提供相应的售后支持,确保客户在使用过程中得到及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关延迟时间长 | 减小栅极电阻或增加驱动电压 |
    | 温度过高 | 加强散热设计或使用散热片 |
    | 泄漏电流大 | 检查安装是否有误或清洁接触面 |

    总结和推荐


    综述
    HFP2N65S-VB MOSFET 是一款高性能的产品,具有低门极电荷、高可靠性和良好的电气特性。其广泛的适用范围和优秀的技术性能使其成为电力电子应用中的理想选择。
    推荐
    基于以上分析,我们强烈推荐 HFP2N65S-VB MOSFET 用于需要高电压和大电流的应用场景。其简洁的设计、出色的性能和强大的技术支持,使其在市场上具备较强的竞争力。

HFP2N65S-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 2A
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

HFP2N65S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFP2N65S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HFP2N65S-VB HFP2N65S-VB数据手册

HFP2N65S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
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