处理中...

首页  >  产品百科  >  60L02P-VB

60L02P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO220封装,适用于各种应用场合。
供应商型号: 60L02P-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 60L02P-VB

60L02P-VB概述


    产品简介


    60L02P-VB N-Channel 30V MOSFET 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),专为高效能低损耗应用设计。它采用了先进的TrenchFET®技术,具有卓越的导通电阻(RDS(on))和较低的热阻抗,适合多种工业和消费电子领域的应用场景。该产品广泛应用于开关电源、电机驱动器、直流-直流转换器、电池管理等领域。

    技术参数


    以下是60L02P-VB的主要技术规格:
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 连续漏极电流(ID):70A
    - 脉冲漏极电流(IDM):250A
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS=10V时:0.007Ω
    - VGS=4.5V时:0.010Ω
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C至+175°C
    - 热阻抗(RthJA):50°C/W(PCB安装情况下)
    其他关键指标:
    - 动态电容(Ciss、Coss、Crss)
    - 阈值电压(VGS(th)):1.0V~2.5V
    - 前向导通电压(VSD):0.87V~1.5V
    - 最大功耗(PD):71W(TC=25°C)

    产品特点和优势


    60L02P-VB 的主要特点如下:
    1. 高效率:低RDS(on)设计显著降低导通损耗,提高整体系统效率。
    2. 快速开关性能:得益于低门极电荷(Qg),实现高速开关切换。
    3. 高可靠性:通过100% Rg和UIS测试验证,确保产品稳定运行。
    4. 封装优势:采用TO-220AB封装,提供低热阻抗,便于散热设计。
    5. 适用性强:在宽温度范围内稳定运行,适合恶劣环境下的使用。
    这些特点使其在高频开关电源、逆变器及电动汽车领域具有显著的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 开关电源(SMPS):用于服务器、通信设备的高效率降压电路。
    - 电机控制:适用于中小型电机的驱动应用。
    - 汽车电子:如车载充电器或DC-DC转换器。
    使用建议:
    1. 在高频开关应用中,建议优化PCB布局以减少寄生电感,从而提高效率并防止热失控。
    2. 使用适当的热管理措施,例如安装散热片或增加空气流通,特别是在高功率应用中。
    3. 结合实际负载需求选择合适的驱动电路参数,避免因过载导致的损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:60L02P-VB可与其他主流功率MOSFET轻松替换,如IR、ON Semiconductor等品牌的产品。
    - 技术支持:VBsemi提供详尽的技术文档和客户支持服务,可通过官方服务热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 确认VGS是否达到最小阈值,检查电路是否满足最佳工作条件。 |
    | 散热不良导致温升过高 | 添加外部散热片或增大散热面积;降低负载电流或优化系统散热设计。 |
    | 关断时间过长 | 调整驱动电路参数,减小栅极电阻或增加驱动电压。 |

    总结和推荐


    60L02P-VB是一款高效率、高可靠性的功率MOSFET,尤其适合需要低导通电阻和快速开关的应用场景。其强大的性能和广泛的适用性使其成为众多工业和消费电子项目的理想选择。我们强烈推荐此产品给需要高性能功率控制解决方案的设计工程师。
    如需进一步了解或定制化解决方案,请联系VBsemi官方服务热线:400-655-8788。

60L02P-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 70A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

60L02P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

60L02P-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 60L02P-VB 60L02P-VB数据手册

60L02P-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
1000+ ¥ 1.4911
库存: 400000
起订量: 20 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 35
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831