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K12A10K3-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,100V,18A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~4Vth(V) 封装:TO220F适用于多种低功率功率电子应用。其特点包括高漏极-源极电压和低阈值电压,适合要求高效率和低功率的电源和驱动器应用。
供应商型号: K12A10K3-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K12A10K3-VB

K12A10K3-VB概述

    K12A10K3-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    K12A10K3-VB 是一款 N 沟道 100V(D-S)功率 MOSFET,采用 TO-220 Fullpak 封装,具有高电压隔离能力和出色的热性能。该器件适用于各种高压电源转换和电机控制应用。

    技术参数


    K12A10K3-VB 的主要技术参数如下:
    - 额定电压 (VDS):100V
    - 漏极-源极导通电阻 (RDS(on))(VGS=10V):0.086Ω
    - 最大门极电荷 (Qg):72nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs):11nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd):32nC
    - 连续漏极电流 (ID):25°C 时 18A;100°C 时 12A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):68A
    - 峰值门极恢复电压 (dV/dt):5.5V/ns
    - 最大耗散功率 (PD):25°C 时 48W
    - 最大结温 (TJ):-55°C 至 +175°C
    - 最大雪崩能量 (EAS):720mJ
    - 最大重复雪崩电流 (IAR):17A
    - 最大重复雪崩能量 (EAR):4.8mJ
    - 散热焊盘推荐焊接温度:10 秒内 300°C
    - 引脚安装扭矩:10 lbf·in(1.1 N·m)

    产品特点和优势


    K12A10K3-VB 具备以下独特的功能和优势:
    - 高电压隔离能力:高达 2.5kVRMS 的高电压隔离,适用于需要严格隔离的应用场景。
    - 低热阻抗:通过降低热阻,提高了器件的可靠性和使用寿命。
    - 动态 dV/dt 额定值:能够承受快速开关瞬态的高 dV/dt 额定值。
    - 环境适应性强:能够在极端温度环境下正常工作,最大结温可达 175°C。

    应用案例和使用建议


    K12A10K3-VB 在以下场景中有广泛应用:
    - 电源转换器:适合用于高性能电源转换器的设计,尤其是在需要高压隔离和高可靠性的情况下。
    - 电机驱动器:适用于工业电机驱动,能够承受频繁启动和停止过程中的高电流波动。
    使用建议:
    1. 散热管理:确保良好的散热设计以避免器件过热。
    2. 电路布局:减少寄生电感和泄漏电感,以提高器件的整体性能。
    3. 门极驱动:选择合适的门极电阻以优化开关时间,从而提高效率。

    兼容性和支持


    K12A10K3-VB 与市面上的主流门极驱动器兼容,支持在各种标准电源设计中使用。厂商提供详尽的技术支持和维护信息,用户可以通过公司网站或客服热线获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确保正确的门极充电?
    解决办法:使用正确的门极电阻(例如,9.1Ω)和参考图 10b 中的测试电路来调整充电时间和电压。
    - 问题:如何减少开关损耗?
    解决办法:优化门极驱动波形,减小 Qgd 和 Qgd 的值,以降低开关时间。
    - 问题:如何避免热损坏?
    解决办法:保持适当的冷却和散热措施,确保在额定温度范围内运行。

    总结和推荐


    综上所述,K12A10K3-VB N-Channel 100-V MOSFET 具有出色的性能和可靠性,特别适用于高压和高温环境下的应用。其强大的特性使其在电源管理和电机驱动应用中表现出色。强烈推荐在需要高性能、高可靠性的应用中使用该器件。有关具体应用的详细信息和进一步支持,请访问官网或联系客服热线 400-655-8788。

K12A10K3-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 18A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@10V,120mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~4V
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K12A10K3-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K12A10K3-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K12A10K3-VB K12A10K3-VB数据手册

K12A10K3-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.1597
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