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K2991-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K2991-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2991-VB

K2991-VB概述

    # Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    本文档涉及的产品是一款N-Channel Power MOSFET(功率场效应晶体管),主要用于高性能电力应用。它采用了先进的半导体制造技术,以提供卓越的性能和可靠性。
    主要功能
    - 高效能量转换
    - 低开关损耗
    - 快速开关速度
    - 支持高电压和电流应用
    应用领域
    - 服务器和电信电源系统
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)
    - 工业控制

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 \( V{DS} \) | 30 | 650 | V |
    | 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \) | 1 | 1 | Ω |
    | 门极电荷 \( Qg \) | 20 | 100 | nC |
    | 门源电荷 \( Q{gs} \) | 12 nC |
    | 门漏电荷 \( Q{gd} \) | 15 nC |
    | 集电极连续电流 \( ID \) | 100 | 150 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \) | 90 | 100 | mJ |
    | 绝对最大温度 \( T{J,max} \) | -55 | 150 | °C |
    | 最大门极电压 \( V{GS} \) | ±30 V |

    产品特点和优势


    特点
    - 极低的\( R{on} \times Qg \)(性能指标)
    - 极低的输入电容(\( C{iss} \))
    - 减少开关和导通损耗
    - 超低的门极电荷(\( Qg \))
    优势
    - 在服务器和电信电源系统中的低功耗应用表现出色
    - 在高频率应用中具备卓越的效率和快速切换能力
    - 适合用于多种工业控制应用,包括照明和电力系统

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该产品适用于各种电源转换设备,例如服务器电源供应器、通信基站电源系统、以及高频照明设备等。
    使用建议
    - 选择合适的栅极驱动电路以实现最优的开关性能
    - 注意散热管理以确保长期稳定运行
    - 定期检测以确保电气安全

    兼容性和支持


    兼容性
    本产品可以与现有的许多标准电源系统和设备兼容,易于集成到现有设计中。
    支持和服务
    台湾VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括样品申请和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开启延迟时间过长 | 检查栅极驱动电压和栅极电荷 |
    | 发热严重 | 加强散热措施,如增加散热片 |
    | 电流过载 | 确保电路负载不超过最大额定值 |

    总结和推荐


    综合评估
    该款N-Channel Power MOSFET具备出色的性能,适用于多种电力系统。它通过高效的能量转换、低开关损耗和快速切换能力,在诸多应用中表现出色。
    推荐
    鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在电源管理和控制系统中使用这款Power MOSFET。

K2991-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2991-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2991-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2991-VB K2991-VB数据手册

K2991-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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