处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFP76N15T2-VB

IXFP76N15T2-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,150V,100A,RDS(ON),9.8mΩ@10V,11.76mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: IXFP76N15T2-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXFP76N15T2-VB

IXFP76N15T2-VB概述

    IXFP76N15T2-VB MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXFP76N15T2-VB 是一款由VBsemi公司生产的N沟道150V(D-S)功率MOSFET。作为ThunderFET®系列的一部分,这款产品凭借其卓越的电气特性和宽广的工作温度范围,成为多种应用的理想选择。主要应用包括不间断电源(UPS)、交流/直流开关电源、照明系统、同步整流、DC/DC转换器、电机驱动器、DC/AC逆变器、微型太阳能逆变器和Class D音频放大器。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDS): 150 V
    - 最大栅极-源极电压(VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流(TC):
    - 25 °C时:100 A
    - 125 °C时:70 A
    - 脉冲漏极电流(t = 100 μs): 320 A
    - 单次雪崩能量(EAS): 180 mJ
    - 最大功耗(TC = 25 °C): 375 W
    - 存储温度范围(TJ, Tstg): -55 至 +175 °C

    3. 产品特点和优势


    - 最高结温(TJ): 可达175 °C,适用于高温环境下的稳定运行。
    - 全面测试: 包括Rg(栅极电阻)和UIS(安全操作区)测试,确保产品的可靠性。
    - 低导通电阻(RDS(on)): 在VGS = 10 V时为0.0085 Ω,在VGS = 7.5 V时为0.0095 Ω,适合高频应用。
    - 高动态性能: 支持高达320 A的脉冲电流能力,适用于瞬态高电流需求的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 不间断电源(UPS): 在UPS系统中,IXFP76N15T2-VB可以提供高效的电源转换,确保系统的可靠性和稳定性。
    - LED照明: 用于LED照明系统中的恒流驱动,能够承受高脉冲电流,保证LED的亮度和寿命。
    - 电机驱动: 适合用于需要高效率和快速响应的电机驱动系统。
    使用建议:
    - 确保在设计电路时考虑热管理,避免过高的温度影响器件的性能和寿命。
    - 对于需要处理大电流的应用,建议采用散热片或其他冷却措施来辅助散热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: IXFP76N15T2-VB可与大多数标准电源设计兼容,特别是对于需要高效能和紧凑设计的应用。
    - 支持: VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户在应用过程中获得最佳体验。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备在高温环境下性能下降。
    - 解决方案: 使用散热片或增加外部风扇进行强制散热,降低工作温度。
    - 问题2: 设备启动时出现不稳定。
    - 解决方案: 检查电路连接是否正确,确保栅极驱动信号稳定,并适当调整栅极电阻值。

    7. 总结和推荐


    IXFP76N15T2-VB是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备出色的电气特性和宽泛的工作温度范围,适合多种应用场合。其低导通电阻和高电流处理能力使其在电机驱动、电源管理和LED照明等领域表现出色。总体而言,IXFP76N15T2-VB是值得推荐的产品。如果您的应用需要高效能和高可靠性,强烈推荐选用此款MOSFET。

IXFP76N15T2-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 9.8mΩ@10V,11.76mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 100A
Vds-漏源极击穿电压 150V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXFP76N15T2-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXFP76N15T2-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXFP76N15T2-VB IXFP76N15T2-VB数据手册

IXFP76N15T2-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.7739
100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.6223
1000+ ¥ 6.3343
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 77.73
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831