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FQU7N65C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: FQU7N65C-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQU7N65C-VB

FQU7N65C-VB概述

    # FQU7N65C Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    FQU7N65C 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高频开关应用而设计。此款 MOSFET 在服务器和电信电源、开关模式电源供应(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应、照明等领域有广泛的应用。
    主要功能
    - 低损耗:低导通电阻 (Ron) 和低栅极电荷 (Qg),从而减少开关和导通损耗。
    - 高可靠性:具有重复性测试和单脉冲雪崩能量评级。
    - 快响应速度:超低栅极电荷和反向恢复时间短。
    - 低输入电容:低输入电容 (Ciss),适合高速切换应用。
    应用领域
    - 服务器和电信电源系统
    - 开关模式电源供应 (SMPS)
    - 功率因数校正 (PFC) 电源供应
    - 照明设备,包括高强度放电灯 (HID) 和荧光灯镇流器
    - 工业设备

    技术参数


    以下是 FQU7N65C 的关键技术规格和性能参数:
    | 参数 | 规格 |

    | 最大漏源电压 (VDS) | 650V (TJ max.) |
    | 最大漏源电流 (ID) | 7A (TJ = 150°C) |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.5Ω @ 10V VGS, 4A ID |
    | 栅极电荷 (Qg) | 32nC @ 10V VGS, 4A ID, 520V VDS |
    | 输入电容 (Ciss) | 147pF @ 0V VGS, 100V VDS, 1MHz |
    | 输出电容 (Coss) | 不适用 |
    | 反向传输电容 (Crss)| 不适用 |
    工作环境
    - 最大结温和存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):63°C/W
    - 最大结到外壳热阻 (RthJC):0.6°C/W

    产品特点和优势


    FQU7N65C 具有以下几个显著特点:
    - 低损耗:由于具备低导通电阻和低栅极电荷,该器件在高频应用中表现出色,显著降低功耗。
    - 高可靠性:通过反复测试,确保在各种极端条件下都能正常工作。
    - 高速切换:超低栅极电荷有助于实现快速开关速度,适用于高频应用。
    - 低输入电容:有助于提高整体系统效率和减少电磁干扰 (EMI)。
    这些特点使得 FQU7N65C 在众多应用中脱颖而出,特别适合需要高效能和高可靠性的电源系统和工业设备。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和电信电源:用于电源转换电路,提高效率和可靠性。
    2. 照明系统:在高强度放电灯 (HID) 和荧光灯镇流器中使用,提供高效且稳定的供电。
    3. 工业应用:应用于各类工业控制设备和自动化系统,保证系统稳定运行。
    使用建议
    - 散热管理:由于导通电阻较低,需注意散热管理,以防止过热。
    - 电路布局:在高频切换应用中,需优化 PCB 设计,减小寄生电感和电容,提高整体性能。
    - 测试与验证:在实际应用中,建议进行充分的测试和验证,确保系统稳定可靠。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FQU7N65C 采用 TO-252 封装,易于安装和焊接,与多种 PCB 设计兼容。
    - 技术支持:VBsemi 提供全面的技术支持和维护,包括在线文档、技术论坛和客户服务中心。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法
    1. 如何避免过热?
    - 解决方案:增加散热片或风扇,确保良好的热管理。
    2. 如何减少电磁干扰 (EMI)?
    - 解决方案:优化电路板设计,减小寄生电感和电容,适当使用屏蔽材料。
    3. 如何测试栅极电荷?
    - 解决方案:使用专业的测试设备和标准测试电路进行测试。

    总结和推荐


    综合评估
    FQU7N65C 是一款高性能、高可靠的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具备低损耗、高速切换等特点,非常适合在高频电源系统中应用。其出色的耐温特性和可靠的设计使其成为许多高端应用的理想选择。
    推荐使用
    总体而言,FQU7N65C 无论是在性能、稳定性还是性价比方面都表现出色,强烈推荐用于需要高效能和高可靠性的电源转换和控制系统中。

FQU7N65C-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 9A
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FQU7N65C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQU7N65C-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQU7N65C-VB FQU7N65C-VB数据手册

FQU7N65C-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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