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2313N-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 -20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V) 封装:\'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
供应商型号: 2313N-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2313N-VB

2313N-VB概述

    P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 是一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为负载开关和电源管理应用而设计。它具有出色的电气特性和稳定的性能,适用于广泛的工业应用,如直流/直流转换器和PA开关。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | -20 | V |
    | 持续漏电流(ID) | -5 | A |
    | 脉冲漏电流(IDM) | -18 | A |
    | 最大功率耗散(PD) | 2.5 | W |
    | 最高结温(TJ) | 150 | °C |
    | 最高存储温度(Tstg) | -55 to 150 | °C |
    | 热阻(RthJA) | ≤ 5 s | °C/W |
    | 阈值电压(VGS(th)) | -0.5 to 1.5 | V |
    | 零门电压漏电流(IDSS) | -1 | µA |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.035 至 0.061 | Ω |
    | 输入电容(Ciss) | 835 | pF |
    | 输出电容(Coss) | 180 | pF |
    | 逆向传输电容(Crss) | 155 | pF |
    | 总栅极电荷(Qg) | 10 至 6.4 | nC |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:本产品在不同栅源电压下的导通电阻(RDS(on))低至0.035Ω,确保了高效的电力转换。
    2. 高可靠性:采用TrenchFET®技术,100%栅极电阻测试确保了产品的长期稳定性和可靠性。
    3. 环保材料:符合RoHS标准和无卤素要求,适用于绿色制造和环保应用。
    4. 宽工作温度范围:能够在极端温度下正常工作,适用范围广泛。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 负载开关:应用于各种负载管理场景,确保系统稳定运行。
    - PA开关:在无线通信设备中作为功率放大器开关,提高信号质量和效率。
    - 直流/直流转换器:用于电源管理和电池充电系统,提升系统整体效率。
    使用建议:
    1. 热管理:由于功率耗散较高,在实际应用中需注意散热措施,例如使用散热片或散热风扇。
    2. 工作环境:确保工作环境温度在规定的范围内,避免高温环境导致性能下降。
    3. 电路布局:在电路板设计时,应考虑合理的走线和封装位置,减少寄生效应。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此MOSFET适用于多种封装形式,包括TO-236和SOT-23。与其他常见的电源管理和控制模块兼容。
    - 支持和服务:制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的用户手册和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度超出规定范围。
    - 解决方案:安装散热装置或改进散热设计,以确保温度在安全范围内。
    2. 问题:功率耗散过高。
    - 解决方案:检查电路设计和元件布局,确保适当的散热措施。
    3. 问题:栅极电压不稳定。
    - 解决方案:确保栅极驱动器设计正确,以保持稳定的栅极电压。

    总结和推荐


    P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 在众多应用中表现出色,尤其是在电源管理和负载开关方面。其低导通电阻、高可靠性以及环保特性使其在市场上具备显著的竞争优势。尽管使用过程中需要注意散热问题,但通过合理的电路设计和应用方案,可以充分发挥其性能优势。
    综上所述,P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 是一款值得推荐的产品,尤其适用于对效率和稳定性要求较高的应用场景。

2313N-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 12V
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2313N-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2313N-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2313N-VB 2313N-VB数据手册

2313N-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 0.207
3000+ ¥ 0.1984
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