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KF4N65FM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: KF4N65FM-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF4N65FM-VB

KF4N65FM-VB概述

    KF4N65FM N-Channel 650V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    KF4N65FM 是一款适用于多种电子设备的高性能 N-Channel 650V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种 MOSFET 主要用于电力转换系统中的开关应用,例如电机驱动、电源转换器、太阳能逆变器等领域。它的主要功能是在控制信号的驱动下,实现高频率、低损耗的电力转换。

    2. 技术参数


    - 耐压能力: 最大漏源电压 \(V{DS}\) 为 650V。
    - 导通电阻: 在 \(V{GS} = 10 V\) 时的导通电阻 \(R{DS(on)}\) 为 2.5Ω。
    - 总栅极电荷: 最大值 \(Qg\) 为 48 nC。
    - 栅源电荷: \(Q{gs}\) 为 12 nC。
    - 栅漏电荷: \(Q{gd}\) 为 19 nC。
    - 连续漏电流: 在 \(V{GS} = 10 V\), \(TJ = 25 °C\) 时,\(ID\) 可达 3.8 A。
    - 最大脉冲漏电流: \(I{DM}\) 为 18 A。
    - 最大功率耗散: 在 \(TC = 25 °C\) 条件下为 30 W。
    - 工作温度范围: 结温 \(TJ\) 和存储温度 \(T{STG}\) 范围为 -55 °C 到 +150 °C。

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 这个特性简化了驱动要求,降低了系统的复杂度。
    - 改进的抗雪崩能力和动态 dV/dt 保护: 提升了器件的可靠性,尤其是在恶劣的工作环境下。
    - 全面的容性特征: 包括 \(C{oss}\) 和 \(C{rss}\),有利于设计者准确计算电路中的电容效应。
    - 符合 RoHS 指令: 这一特性使其适合各种绿色环保的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    KF4N65FM 可以广泛应用于电机驱动、电源转换器和太阳能逆变器等领域。例如,在电源转换器中,它能够高效地切换高电压和大电流,同时保持较低的导通电阻,从而减少能量损失。使用时应注意栅极驱动的设计,确保能有效管理 \(Qg\) 和 \(Q{gs}\) 的关系,避免过高的栅极驱动导致的损坏风险。

    5. 兼容性和支持


    KF4N65FM 与市场上常见的 PCB 设计兼容,且其引脚布局标准,易于集成到现有系统中。厂商提供了详尽的技术支持和维护服务,包括在线文档和电话技术支持,确保用户能够在设计和应用过程中获得及时的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何正确计算 \(Qg\)?
    - A: 使用合适的测试电路和仪器,根据数据手册中的图表和公式进行计算。
    - Q: 如何防止高温下的损坏?
    - A: 确保良好的散热设计,如使用散热片或热管,并定期检查设备的工作温度。

    7. 总结和推荐


    KF4N65FM 在高电压、大电流的应用中表现出色,其低导通电阻和高可靠性使得它成为电力转换系统的理想选择。尽管价格可能略高于同类产品,但其优越的性能和长寿命使得整体性价比很高。因此,强烈推荐在需要高性能、高可靠性的应用中使用此产品。

KF4N65FM-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

KF4N65FM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF4N65FM-VB数据手册

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KF4N65FM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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1000+ ¥ 1.8212
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