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JCS8N60C-O-C-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: JCS8N60C-O-C-N-B-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS8N60C-O-C-N-B-VB

JCS8N60C-O-C-N-B-VB概述

    JCS8N60C-O-C-N-B-VB Power MOSFET 技术手册



    1. 产品简介




    JCS8N60C-O-C-N-B-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关模式电源(SMPS)和不间断电源(UPS)等应用。

    主要功能:
    - 低栅极电荷(Qg),简化驱动要求。
    - 改进的栅极、雪崩及动态dv/dt耐用性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压电流特性。

    应用领域:
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 不间断电源(UPS)


    2. 技术参数




    关键规格:
    - VDS(漏源击穿电压):600 V
    - RDS(on)(导通电阻):在 VGS = 10 V 时,典型值为 0.780 Ω
    - Qg(总栅极电荷):最大值为 49 nC
    - Qgs(栅源电荷):13 nC
    - Qgd(栅漏电荷):20 nC

    工作环境:
    - 最大峰值功率耗散:170 W(在 25°C 时)
    - 最大接合温度:150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C

    绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):600 V
    - 栅源电压(VGS):±30 V
    - 连续漏极电流(ID):在 25°C 时,最大值为 8.0 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):290 mJ
    - 峰值二极管恢复电压(dV/dt):5.0 V/ns


    3. 产品特点和优势




    - 低栅极电荷(Qg): 降低驱动复杂度,减少功耗。
    - 改进的耐用性: 包括栅极、雪崩及动态dv/dt的耐用性。
    - 完全表征的电容和雪崩特性: 确保稳定的电气性能和可靠性。


    4. 应用案例和使用建议




    应用案例:
    - 开关模式电源(SMPS): 在高频率、高效率的应用中表现出色。
    - 不间断电源(UPS): 在需要快速响应和可靠性的场合中提供稳定的电力供应。

    使用建议:
    - 驱动电路设计: 鉴于其低栅极电荷特性,选择合适的驱动器以简化电路设计。
    - 热管理: 由于其较高的功率耗散,需要有效的散热设计以保证稳定运行。
    - 电路布局: 注意减小寄生电感,采用良好的接地平面设计。


    5. 兼容性和支持




    兼容性:
    - 该 MOSFET 适用于多种 SMPS 拓扑结构,如有源钳位正向拓扑和主开关。

    支持和服务:
    - 可联系制造商获取详细的技术支持和维护服务。


    6. 常见问题与解决方案




    常见问题:
    - 问:如何计算其热阻?
    解决方案:使用图 11 中的数据计算热阻。

    - 问:栅极电压过高会损坏器件吗?
    解决方案:请确保栅极电压不超过额定值±30 V。

    - 问:在脉冲状态下,如何限制电流?
    解决方案:确保脉冲宽度不超过 300 μs,占空比不超过 2%。


    7. 总结和推荐




    总结:
    - 优点:
    - 低栅极电荷,简化驱动设计。
    - 强大的耐用性,适合高频高可靠性应用。
    - 完全表征的电容和雪崩特性,确保稳定性能。

    推荐:
    - 推荐用于高效率、高频率的开关电源应用中。在设计时需注意热管理和电路布局,以充分发挥其性能优势。

    ---

    本文档基于 JCS8N60C-O-C-N-B-VB 的技术手册编写,旨在为用户提供全面的产品信息和使用指导。

JCS8N60C-O-C-N-B-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 8A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS8N60C-O-C-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS8N60C-O-C-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS8N60C-O-C-N-B-VB JCS8N60C-O-C-N-B-VB数据手册

JCS8N60C-O-C-N-B-VB封装设计

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