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7N60L-TF1-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: 7N60L-TF1-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 7N60L-TF1-T-VB

7N60L-TF1-T-VB概述


    产品简介


    产品名称:7N60L-TF1-T-VB
    产品类型:N-Channel MOSFET
    主要功能:
    7N60L-TF1-T-VB 是一款高性能的功率 MOSFET,以其低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)而著称。这种设计使其适用于需要高效能量转换和开关的应用场景。
    应用领域:
    - 服务器和电信电源
    - 开关模式电源供应(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明(如高亮度放电灯和荧光灯镇流器)
    - 工业设备

    技术参数


    基本参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 4.0Ω (在 VGS=10V, ID=4A 条件下)
    - 总栅极电荷 (Qg): 10nC (在 VGS=10V, ID=4A, VDS=520V 条件下)
    绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 650V
    - 栅源电压 (VGS): ±30V
    - 持续漏电流 (ID): 4.0A (在 TJ = 25°C 条件下)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 97mJ
    - 最大功耗 (PD): 1W
    - 运行结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    热阻抗:
    - 最大结点到环境 (RthJA): 63°C/W
    - 最大结点到外壳 (RthJC): 0.6°C/W

    产品特点和优势


    特点:
    - 低导通电阻(RDS(on)),减少能耗
    - 低输入电容(Ciss),加快开关速度
    - 低栅极电荷(Qg),提高效率
    - 雪崩能量认证(UIS),确保可靠性
    优势:
    - 在高能效应用中表现出色,特别是在服务器和电信电源中
    - 减少热管理需求,提高系统的可靠性和稳定性
    - 优秀的动态响应能力,确保高效的电力转换

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    7N60L-TF1-T-VB 在服务器和电信电源系统中广泛应用,帮助实现高效的能量转换和开关控制。其出色的性能确保了系统在高温和高负载条件下仍能稳定运行。
    使用建议:
    - 在高负载或高温环境下使用时,应注意散热,以保持正常的工作温度
    - 在进行高频开关操作时,建议配合适当的驱动电路,以减少开关损耗
    - 考虑到其低栅极电荷和低输入电容的特点,在设计驱动电路时需注意匹配适当的驱动电阻(Rg)

    兼容性和支持


    兼容性:
    7N60L-TF1-T-VB 与标准的 TO-220 全封装相兼容,可轻松集成到现有设计中。由于其多功能性,它几乎可以用于所有类型的开关模式电源系统。
    支持和服务:
    VBsemi 提供详尽的技术支持,包括详细的产品文档、在线支持和售后服务。对于集成过程中可能遇到的问题,客户可以通过 400-655-8788 或访问 www.VBsemi.com 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 问题:在高温环境中 RDS(on) 是否会显著变化?
    解决方案:7N60L-TF1-T-VB 在 25°C 至 150°C 的温度范围内表现出良好的热稳定性。具体变化可通过参考数据表中的温度系数了解。

    2. 问题:如何避免过高的开关损耗?
    解决方案:通过优化驱动电路和降低栅极电荷(Qg),可以有效减少开关损耗。建议采用合适的门极电阻(Rg)来平衡开关时间和损耗。

    总结和推荐


    总体评估:
    7N60L-TF1-T-VB 是一款高性价比、高性能的功率 MOSFET,适合各种高能效要求的应用场合。其低导通电阻、低栅极电荷和优良的热稳定性使得其在开关模式电源、照明和其他工业应用中表现卓越。
    推荐意见:
    强烈推荐在高能效需求的应用中使用 7N60L-TF1-T-VB。考虑到其广泛的应用领域、优异的性能和可靠的支持服务,它无疑是一个值得信赖的选择。

7N60L-TF1-T-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

7N60L-TF1-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

7N60L-TF1-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 7N60L-TF1-T-VB 7N60L-TF1-T-VB数据手册

7N60L-TF1-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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