处理中...

首页  >  产品百科  >  NTD25P03-VB

NTD25P03-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
供应商型号: NTD25P03-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD25P03-VB

NTD25P03-VB概述

    NTD25P03 P-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTD25P03 是一款 P 沟道 30V(漏-源)功率 MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,适用于负载开关和笔记本适配器开关等领域。这款 MOSFET 具有高可靠性、低导通电阻和优异的电气特性,是现代电子设计的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是 NTD25P03 的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏-源电压 \( V{DS} \): -30 V
    - 栅-源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 连续漏电流 \( ID \) (TC=25°C): -1 A
    - 单脉冲漏电流 \( I{DM} \): -112 A
    - 最大功率耗散 \( PD \) (TC=25°C): 25 W
    - 静态参数
    - 漏-源击穿电压 \( V{DS} \): -30 V
    - 栅-源阈值电压 \( V{GS(th)} \): -1.0 ~ -2.5 V
    - 漏极-源极导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = -10 V \): 0.033 Ω
    - \( V{GS} = -4.5 V \): 0.046 Ω
    - 动态参数
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1350 pF (VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 255 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 190 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \):
    - \( V{DS} = -15 V, V{GS} = -10 V \): 27 nC
    - \( V{DS} = -15 V, V{GS} = -4.5 V \): 19 nC

    3. 产品特点和优势


    NTD25P03 的主要特点和优势包括:
    - 高可靠性的卤素无自由设计。
    - 源自沟槽技术的高性能 TrenchFET。
    - 100% 绝缘栅电阻和雪崩测试保证。
    - 在高温下具有优异的性能和稳定性。
    - 适用于负载开关和笔记本适配器开关等多种应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    NTD25P03 常用于以下场景:
    - 负载开关:如电源管理和电流控制。
    - 笔记本适配器开关:提高转换效率和减少功耗。
    使用建议:
    - 确保电路设计中考虑 MOSFET 的热管理,特别是在高功率应用场景。
    - 使用适当的栅极电阻来控制驱动信号的上升时间,以减少电磁干扰。

    5. 兼容性和支持


    NTD25P03 适用于多种电子设备和系统,与常见的电路板布局兼容。制造商提供全面的技术支持,包括数据表、应用指南和技术文档,确保客户能够顺利集成和使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方法:根据具体的应用需求和电路设计,选择适当的栅极电阻以控制 MOSFET 的开关速度和降低电磁干扰。
    2. 如何进行热管理?
    - 解决方法:通过使用散热片或其他散热措施,确保 MOSFET 的温度不超过安全操作范围。

    7. 总结和推荐


    NTD25P03 是一款高性能、可靠的 P 沟道 MOSFET,特别适合于负载开关和笔记本适配器开关等应用。其出色的电气特性和热稳定性使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐给需要高性能和高可靠性的应用场景。

NTD25P03-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,46mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Id-连续漏极电流 26A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD25P03-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD25P03-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD25P03-VB NTD25P03-VB数据手册

NTD25P03-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:20
合计: ¥ 27.22
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504