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JCS8N65FB-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: JCS8N65FB-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS8N65FB-O-F-N-B-VB

JCS8N65FB-O-F-N-B-VB概述

    # JCS8N65FB-O-F-N-B 功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    JCS8N65FB-O-F-N-B 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,属于 Power MOSFET 类型。该器件具备极低的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),可显著降低开关损耗和传导损耗,特别适合需要高效率的电力电子应用。
    主要功能
    - 极低的导通电阻(RDS(on))
    - 极低的输入电容(Ciss)
    - 超低的栅极电荷(Qg)
    - 高可靠性雪崩耐量(UIS)
    应用领域
    - 服务器和通信电源
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明系统(如高强度放电灯 HID 和荧光灯照明)
    - 工业控制设备

    技术参数


    以下是 JCS8N65FB-O-F-N-B 的关键技术规格:
    | 参数 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |

    | 栅源电压 (VGS) | ±30 | - | ±30 | V |
    | 最大漏源电压 (VDS) | - | 650 | - | V |
    | 漏源电流 (ID) | - | 40 | - | A |
    | 栅极电荷 (Qg) | - | 36 | - | nC |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | - | 1.0 | - | Ω |
    | 击穿电压 (BVDSS) | - | 650 | - | V |
    | 反向恢复时间 (trr) | - | 190 | - | ns |
    工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 最大结温 (TJ,max):+150°C
    封装信息
    - 封装类型:TO-220 Fullpak
    - 引脚配置:单配置

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 低导通电阻 (RDS(on)):优秀的导通性能,减少能耗,提高系统效率。
    2. 超低栅极电荷 (Qg):降低开关损耗,提升开关速度。
    3. 高可靠性雪崩耐量 (UIS):增强器件在高压环境下的稳定性。
    市场竞争力
    JCS8N65FB-O-F-N-B 在同类产品中具有显著优势,特别是在高效能要求的电力电子应用中表现出色。其出色的热管理和低功耗特性使其成为服务器、通信设备及工业控制系统的理想选择。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    - 通信电源:作为电信设备中的关键功率元件,帮助实现高效能电源管理。
    - LED 照明:用于驱动高功率 LED,提供稳定可靠的电流输出。
    使用建议
    - 在设计中,确保 PCB 布局合理,减少寄生电感以优化开关性能。
    - 配合低阻抗电源路径设计,以充分利用器件的低导通电阻优势。
    - 根据负载需求选择合适的驱动电阻 (Rg),避免过高的驱动电压导致器件失效。

    兼容性和支持


    兼容性
    JCS8N65FB-O-F-N-B 可广泛应用于多种电路拓扑结构,与主流控制器和驱动器兼容。其标准封装便于直接替换现有解决方案。
    支持和服务
    - 提供详尽的技术文档和设计指南。
    - 客户技术支持团队随时在线,解答技术疑问。
    - 官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 器件发热严重 | 优化散热设计,增加散热片面积。 |
    | 开关频率过高导致损耗增加 | 降低开关频率,适当调整栅极驱动信号。|
    | 驱动电压不匹配 | 检查驱动电路,确保 VGS 在额定范围内。|

    总结和推荐


    综合评估
    JCS8N65FB-O-F-N-B 是一款高效能、高可靠性的功率 MOSFET,其低导通电阻和超低栅极电荷设计使它成为电力电子领域的优选产品。其广泛的应用范围和强大的技术支持体系,使其在市场上极具竞争力。
    推荐结论
    强烈推荐 JCS8N65FB-O-F-N-B 用于高效率、低损耗的电力电子应用,尤其适用于服务器电源、通信电源及工业控制系统。
    如有进一步需求,请联系 VBsemi 官方客服:400-655-8788。

JCS8N65FB-O-F-N-B-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS8N65FB-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS8N65FB-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS8N65FB-O-F-N-B-VB JCS8N65FB-O-F-N-B-VB数据手册

JCS8N65FB-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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