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K1869-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: K1869-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1869-VB

K1869-VB概述

    # VBsemi N-Channel Power MOSFET 技术详解

    产品简介


    VBsemi推出的4VQFS系列N-Channel Power MOSFET是一款高性能的功率半导体器件,广泛应用于服务器与电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源、照明以及工业领域。其设计目标是减少导通损耗与开关损耗,以提高整体系统效率。此款MOSFET具备低栅极电荷、低输入电容等特性,能够显著降低系统的功耗并提升运行稳定性。
    主要功能
    - 高效能量传输与控制
    - 减少功率损耗,实现节能效果
    - 适用于高频和高电压应用场景
    应用领域
    - 数据中心及服务器电源管理
    - 工业级开关电源设计
    - 照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯)
    - 其他需要高效能转换的工业设备

    技术参数


    以下是该产品的主要技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 650 V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2 | 4 V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) 0.7 Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg 16 nC |
    | 输入电容 | Ciss 147 pF |
    | 输出电容 | Coss | pF |
    | 有效输出电容 | Co(er) | pF |
    | 最大连续漏极电流 | ID 30 A |
    | 最大单脉冲雪崩能量 | EAS 97 mJ |
    | 最高工作温度 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    工作环境
    - 封装形式:TO-220AB、TO-252
    - 热阻抗:RthJA ≤ 63°C/W,RthJC ≤ 0.6°C/W
    - 存储与操作温度范围:-55至+150°C

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 低损耗设计:通过优化RDS(on)和Qg,显著降低了系统的总能耗。
    2. 快速开关性能:超低的栅极电荷(Qg)使得开关速度更快,适合高频应用场景。
    3. 高可靠性:经过严格的测试,确保在极端条件下也能稳定运行。
    市场竞争力
    - 适用于多种高压和大电流场合。
    - 显著提升能源利用效率,符合现代绿色设计理念。
    - 极高的性价比,适合大规模生产需求。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    - 服务器电源模块:作为核心驱动组件,减少热量积累并延长设备寿命。
    - LED驱动电路:用于调节LED亮度,同时保持良好的散热表现。
    使用建议
    1. 布局优化:设计时需注意PCB布局,尽量缩短引脚长度以减小寄生电感。
    2. 冷却措施:对于高功率场景,建议采用高效散热器配合良好的通风设计。
    3. 测试验证:建议客户在批量生产前进行详细的功能测试,确保产品符合设计要求。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与主流控制器和驱动器兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持多种封装选项(TO-220AB、TO-252),满足不同应用场景的需求。
    厂商支持
    - 提供详尽的技术文档和应用指南。
    - 全面的售后服务和技术支持团队随时待命,解决用户疑问。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中过热 | 检查散热片安装是否到位,必要时更换更大规格散热器。 |
    | 漏电流异常 | 确保栅极驱动电压正确,检查电路连接是否松动。 |
    | 寿命短 | 定期维护并更换老化部件,遵循正确的使用规范。 |

    总结和推荐


    综合评估
    VBsemi的4VQFS系列N-Channel Power MOSFET凭借其卓越的性能指标和广泛的应用适配性,在电源管理和工业控制领域表现出色。它不仅具有较低的导通电阻和栅极电荷,还提供了出色的热管理和可靠性保证。
    推荐结论
    强烈推荐这款MOSFET用于需要高效能、长寿命且对功耗敏感的应用场景。无论是开发新型电源还是升级现有设备,VBsemi的产品都是理想的选择。如果您正在寻找一款兼具高性能与经济性的解决方案,4VQFS系列将是您的不二之选。

K1869-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1869-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1869-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1869-VB K1869-VB数据手册

K1869-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
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500+ ¥ 3.3111
2500+ ¥ 3.1672
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