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K1007-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: K1007-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1007-01-VB

K1007-01-VB概述

    # VBsemi N-Channel Power MOSFET K1007-01-VB 技术手册

    1. 产品简介


    VBsemi K1007-01-VB 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种高压应用场合。其具有低导通电阻(RDS(on))、低门极电荷(Qg)和卓越的开关性能。这种器件广泛应用于各种电源管理电路中,如开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和高速功率开关等。
    主要功能:
    - 高效率能量转换
    - 低导通损耗
    - 支持多种拓扑结构的离线 SMPS 应用
    应用领域:
    - 开关模式电源
    - 不间断电源系统
    - 主控开关应用

    2. 技术参数


    以下是 K1007-01-VB 的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 600 | V |
    | 栅极源极阈值电压 | VGS(th) | 2.0 4.0 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) 0.780 Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg 49 nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs 13 nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd 20 nC |
    | 最大连续漏极电流 | ID 8.0 A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM 37 | A |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 低门极电荷:简化驱动要求,减少驱动电路复杂度。
    - 高可靠性:具备改进的门极耐久性、雪崩耐久性和动态 dv/dt 耐久性。
    - 全面表征:提供精确的电容和雪崩电压/电流数据。
    - 广泛适用性:适用于多种拓扑结构的离线 SMPS 设计。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    K1007-01-VB 在典型的开关电源中表现出色。例如,在一个主控开关的应用中,其可以处理高达 8A 的连续漏极电流,并能在短时间内承受 37A 的脉冲电流。这使其成为高能效 SMPS 系统的理想选择。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,建议使用适当的 PCB 布局来减少寄生电感和寄生电阻的影响。
    - 对于快速开关场景,建议优化驱动电路以匹配 K1007-01-VB 的快速响应时间(td(on)=13ns, td(off)=30ns)。

    5. 兼容性和支持


    K1007-01-VB 采用标准 TO-220AB 封装,易于安装并与其他常见的功率模块兼容。VBsemi 提供全面的技术支持和服务,包括产品选型指导、应用技术支持以及售后保障。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 检查散热片安装情况;增加散热面积 |
    | 开关速度慢 | 优化驱动电路设计;降低输入阻抗 |
    | 雪崩现象 | 确保工作电压不超过额定值 |

    7. 总结和推荐


    VBsemi K1007-01-VB 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,以其低功耗、高效率和广泛的适用性脱颖而出。它特别适合于需要高可靠性的高压应用场合,如开关模式电源和 UPS 系统。推荐给需要高性能功率转换解决方案的设计工程师。
    通过其出色的特性组合和良好的市场表现,这款产品无疑将成为许多现代电子系统的首选组件之一。如果您正在寻找一款兼顾效率与成本效益的功率 MOSFET,那么 K1007-01-VB 将是您的理想选择!

K1007-01-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K1007-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1007-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1007-01-VB K1007-01-VB数据手册

K1007-01-VB封装设计

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