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K4058-ZK-E1-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: K4058-ZK-E1-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4058-ZK-E1-AY-VB

K4058-ZK-E1-AY-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高效率的功率场效应晶体管(Power MOSFET),属于TrenchFET®系列。该产品具有低导通电阻(RDS(on))和高连续电流承载能力,适用于多种应用领域,包括电源管理、服务器系统和直流-直流转换器(DC/DC Converter)。它凭借优异的性能和可靠性,在电力电子应用中备受青睐。

    技术参数


    - 电压参数
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 门源电压(VGS):±20V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流(ID):25.8A(TC=25°C)
    - 单脉冲漏极电流(IDM):250A
    - 热参数
    - 最大功耗(PD):205W(TC=25°C)
    - 结到环境的最大热阻抗(RthJA):32°C/W(t ≤ 10秒)
    - 其他关键参数
    - 阈值电压(VGS(th)):1.0V至2.5V
    - 导通电阻(RDS(on)):0.005Ω(VGS=10V,ID=38.8A)
    - 输出电容(Coss):525pF(VDS=15V,VGS=0V)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:该产品拥有极低的导通电阻,可以显著降低损耗,提高能源效率。
    2. 高电流承载能力:能够承受高达250A的单脉冲电流,适合高压大电流的应用场合。
    3. 快速开关特性:拥有低输入电容和输出电容,使得开关速度更快,有助于提高电路的整体效率。
    4. 高温稳定性:最高工作温度可达175°C,确保在严苛环境下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - OR-ing 应用:在服务器电源中用于实现OR-ing功能,以保护电路不受反向电流影响。
    - 服务器应用:在服务器的电源管理模块中,该产品可作为关键的开关组件,帮助管理电源分配。
    - 直流-直流转换器:可用于直流-直流转换器的设计中,以提高转换效率和可靠性。
    使用建议:
    - 在使用过程中,建议定期监测工作温度,避免过热。
    - 确保良好的散热设计,特别是在高电流条件下使用时。

    兼容性和支持


    该产品与标准的表面贴装工艺兼容,符合RoHS指令,可广泛应用于现代电子设备中。厂商提供全面的技术支持和维护服务,用户可以通过服务热线获得详细的指导和支持。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 解决方法:改善散热设计,增加散热片或者风扇冷却。
    2. 电流过载
    - 解决方法:检查电路设计,确保不超过规定的最大电流值。
    3. 开关速度慢
    - 解决方法:检查外部电容和电阻的配置,优化门极驱动电路。

    总结和推荐


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 以其卓越的性能和可靠性,在多种电力电子应用中表现出色。特别是其低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性使其成为电力管理和电源转换应用的理想选择。鉴于其广泛的适用性和优秀的性价比,我们强烈推荐此产品用于各类高性能电源管理系统。

K4058-ZK-E1-AY-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 60A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K4058-ZK-E1-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4058-ZK-E1-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K4058-ZK-E1-AY-VB K4058-ZK-E1-AY-VB数据手册

K4058-ZK-E1-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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型号 价格(含增值税)
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