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K1335STL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应晶体管,具有200V的额定漏极-源极电压和10A的漏极电流。其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。200V,10A,RDS(ON),245mΩ@10V,368mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.06Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: K1335STL-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1335STL-E-VB

K1335STL-E-VB概述


    产品简介


    N-Channel 200 V MOSFET 技术手册
    N-Channel 200 V MOSFET 是一种高效率、高性能的电源管理组件,适用于各种电子设备中的开关应用。该器件采用先进的 TrenchFET® 技术,能够在高达 175°C 的工作温度下保持稳定性能,特别适合于脉冲宽度调制(PWM)电路。
    主要功能和应用领域
    - 主要功能:提供低导通电阻(RDS(on)),优化了电源转换效率;具有高可靠性,能够承受较大的电压和电流冲击。
    - 应用领域:广泛应用于电源管理和转换系统中,如交流到直流转换器、电池充电器、太阳能逆变器等。

    技术参数


    | 参数名称 | 标准值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 VDS | 200 | V |
    | 门限电压 VGS(th) | 2 ~ 4 | V |
    | 门极漏电流 IGSS | ±100 | nA |
    | 门极-源极电容 Ciss | 1800 | pF |
    | 输出电容 Coss | 180 | pF |
    | 门极-漏极电荷 Qgd | 12 | nC |
    | 总门极电荷 Qg | 34 ~ 51 | nC |
    | 最大连续漏极电流 ID | 10 | A |
    | 最大单脉冲雪崩能量 EAS | 18 | mJ |
    | 热阻抗 RthJA | 15 ~ 18 | °C/W |

    产品特点和优势


    - 高效能:采用 TrenchFET® 技术,降低导通电阻,提高整体能效。
    - 高温稳定性:能够在 -55°C 至 175°C 的温度范围内正常工作,适用于恶劣环境。
    - 快速响应:开关时间短,适用于需要快速反应的应用场合。
    - PWM 优化:优化设计以适应 PWM 控制,提高转换效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 交流到直流转换器:利用其高效率和快速响应特性,提升整体转换效率,减少热损耗。
    - 太阳能逆变器:能够在高温环境下稳定工作,确保系统可靠运行。
    使用建议
    - 散热设计:为避免过热,应合理设计散热结构,确保良好的热管理。
    - 匹配外围电路:根据具体应用场景选择合适的驱动电路和保护措施,以充分利用其性能。

    兼容性和支持


    该器件与常见的电源管理电路板和设备兼容,易于集成。制造商提供详细的资料和支持文档,用户可以联系厂商获得进一步的技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开关时间长导致效率降低。
    - 解决方案:检查驱动电路设计,确保门极驱动信号满足要求。
    2. 问题:出现过热现象。
    - 解决方案:加强散热设计,使用更大的散热片或散热器。
    3. 问题:器件损坏。
    - 解决方案:检查外部电路是否存在问题,确保正确的电源管理和保护措施。

    总结和推荐



    总结


    N-Channel 200 V MOSFET 在高温稳定性、高效率和快速响应等方面表现出色,适用于多种电源管理和转换应用。尽管在某些极端条件下可能面临挑战,但其强大的特性和优良的设计使其成为众多应用的理想选择。
    推荐
    我们强烈推荐该器件用于需要高效率、高可靠性的电源管理应用中。其优越的性能使其成为现代电子产品不可或缺的一部分,尤其是在高功率和高温环境中。

K1335STL-E-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.06V
Id-连续漏极电流 10A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 245mΩ@10V,368mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K1335STL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1335STL-E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K1335STL-E-VB K1335STL-E-VB数据手册

K1335STL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.5269
100+ ¥ 2.3398
500+ ¥ 2.2462
2500+ ¥ 2.1526
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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