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IRL2703S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),12mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.2Vth(V) 封装:TO263\n适用于需要较高功率和电流的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: IRL2703S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRL2703S-VB

IRL2703S-VB概述

    IRL2703S-VB N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRL2703S-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于直流到直流转换和服务器电源管理等领域。它采用 TrenchFET® 技术,提供卓越的开关性能和低导通电阻,使其成为电力电子应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ± 20 V
    - 连续漏电流 (ID):
    - 在 TA = 25 °C 时: 46 A
    - 在 TA = 70 °C 时: 21 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 210 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 94.8 mJ
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 在 TA = 25 °C 时: 120 W
    - 在 TA = 70 °C 时: 85 W
    - 热阻 (RthJA): 最大 40 °C/W
    - 最大工作结温 (TJ): -55 至 175 °C
    - 输入电容 (Ciss): 120 pF
    - 输出电容 (Coss): 255 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 170 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 25 nC

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术: 提供更低的导通电阻和更高的电流处理能力。
    - 高可靠性: 100% Rg 和 UIS 测试通过,确保产品在极端条件下的稳定性和可靠性。
    - 符合 RoHS 标准: 满足环保要求,可广泛应用于各种工业和消费电子产品中。
    - 低导通电阻: 0.012 Ω(VGS = 10 V)和 0.018 Ω(VGS = 4.5 V),提高能效和降低功耗。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景: 适用于 OR-ing 应用、服务器电源管理和 DC/DC 转换器等。
    - 使用建议:
    - 确保栅极驱动电压适中,以避免过高的栅极电压导致击穿。
    - 使用适当的散热措施,特别是在高功率应用中,以保证良好的热稳定性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与标准电路板和相关设备兼容,便于集成。
    - 技术支持: 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速解决问题并实现产品优化。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 漏电流过高
    - 解决办法: 检查栅极驱动电压是否合适,适当调整栅极电阻。
    - 问题2: 导通电阻不稳定
    - 解决办法: 确认温度范围内的数据是否在规定的范围内,并检查热管理是否得当。

    7. 总结和推荐


    IRL2703S-VB N-Channel MOSFET 以其出色的性能和可靠性,在电力电子应用中表现出色。其低导通电阻和高可靠性使其在各种工业和消费电子产品中具有广泛的适用性。强烈推荐用于需要高效率和高可靠性的应用场合。

IRL2703S-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 70A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,19mΩ@4.5V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRL2703S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRL2703S-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRL2703S-VB IRL2703S-VB数据手册

IRL2703S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.3398
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