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2SJ530S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 P沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252 可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: 2SJ530S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SJ530S-VB

2SJ530S-VB概述

    P-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    本手册详细介绍了VBsemi公司生产的P-Channel MOSFET(P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)——型号为2SJ530S。该电子元器件属于场效应晶体管(FET)类别,主要用于电力转换和控制应用,如负载开关(Load Switch)。2SJ530S的主要功能是在控制电路中作为开关元件使用,通过调整电压信号来控制电路中的电流流动,具有较高的功率处理能力和良好的热稳定性。

    技术参数


    - 电压范围: VDS(漏极-源极电压)最大值为60V。
    - 电流能力: 持续漏极电流(TC = 25°C时)为-30A;脉冲漏极电流为-25A。
    - 电阻: 在VGS = -10V、ID = -5A条件下,RDS(on)为0.061Ω;在125°C时为0.150Ω;在175°C时为0.150Ω。
    - 电荷参数: 总门极电荷(Qg)为10nC。
    - 封装: TO-252封装。
    - 环境条件: 工作温度范围为-55°C至175°C。

    产品特点和优势


    2SJ530S具备以下显著优势:
    1. 高效率: 极低的导通电阻(RDS(on))保证了高效率的电源转换。
    2. 快速开关: 低总门极电荷(Qg)使得开关时间非常短,适合高频应用。
    3. 可靠性高: 经过100%UIS测试,确保其承受极端电压冲击的能力。
    4. 适用于恶劣环境: 宽广的工作温度范围使其适合于多种工业应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 负载开关: 由于其优异的电流承载能力和快速响应特性,2SJ530S非常适合用于各种负载开关电路,确保系统的稳定性和可靠性。
    - 电路保护: 在需要进行高压转换的系统中,其较高的击穿电压能够有效地提供额外的安全保障。
    使用建议:
    1. 散热管理: 鉴于其高功率处理能力,合理设计散热机制是关键。建议采用散热片或风扇辅助散热以延长使用寿命。
    2. PCB布局: 为了减少寄生效应,建议采用较小的引脚间距和合理的布线策略。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 2SJ530S可直接替换市场上其他品牌的同类产品,无需修改电路设计即可实现无缝对接。
    - 技术支持: VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线FAQ和邮件咨询,帮助用户解决可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 门极电荷过高导致电路失效。
    - 解决方案: 确保驱动电路的输出阻抗适配门极电阻(Rg),通常选择小于10Ω的阻值。

    - 问题2: 过高的环境温度导致性能下降。
    - 解决方案: 增加散热措施,如使用散热片或者增强空气流通,降低工作温度。

    总结和推荐


    综上所述,2SJ530S是一款高性能的P-Channel MOSFET,适用于多种高压、大电流的应用场合。其出色的性能指标、便捷的兼容性以及VBsemi公司提供的优质售后服务都使其在市场上具有很强的竞争优势。对于需要高可靠性和高效能的工程项目,强烈推荐使用这款产品。

2SJ530S-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 38A
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

2SJ530S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SJ530S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SJ530S-VB 2SJ530S-VB数据手册

2SJ530S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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