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K2806-01-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,80A,RDS(ON),6mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源模块、电机驱动器、照明控制模块等领域,可用于开关电源、电动汽车、LED照明系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。
供应商型号: K2806-01-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2806-01-VB

K2806-01-VB概述

    K2806-01-VB N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K2806-01-VB 是一款由VBsemi推出的N沟道增强型30V(漏-源)MOSFET。该器件采用TrenchFET®技术,具备出色的开关特性和低导通电阻(RDS(on)),适用于多种电源管理、电机驱动和通信领域的应用。该器件不仅符合RoHS指令2011/65/EU,而且提供完整的电气测试报告,确保其可靠性和性能。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏-源击穿电压 | VDS | 30 V |
    | 漏-源电压温度系数 | ΔVDS/TJ 35 mV/°C |
    | 栅-源阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 2.5 V |
    | 栅-源泄漏电流 | IGSS ±100 nA |
    | 源-漏二极管连续电流 | IS | 120 A |
    | 漏-源体二极管反向恢复时间 | trr 52 | 78 | ns |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | 70.2 105 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - TrenchFET®技术:显著降低导通电阻和提高效率。
    - 全检Rg和UIS测试:确保产品的可靠性。
    - 符合RoHS指令:环保且适用于多种工业应用。
    - 高击穿电压和低导通电阻:在恶劣条件下仍能保持良好的性能。
    - 优越的动态特性:快速的开关速度和低损耗。

    4. 应用案例和使用建议


    K2806-01-VB MOSFET在多个领域都有广泛的应用,例如电源转换、马达控制、照明系统和通讯设备。在设计开关电源时,可以考虑将其应用于功率因数校正电路中,以提高整体系统的效率。
    使用建议:
    - 在选择散热器时,确保其热阻RthJA在允许范围内,以防止器件过热。
    - 在使用过程中,合理规划输入输出电容,以减少开关损耗并改善瞬态响应。

    5. 兼容性和支持


    K2806-01-VB MOSFET 与大多数标准电路板兼容。厂商提供全面的技术支持,包括在线文档、样品寄送和技术咨询热线(400-655-8788),帮助用户解决各种技术问题。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:器件温度过高。
    解决方案:增加散热措施,例如使用更大的散热器或安装风扇来加强散热效果。
    2. 问题:器件工作不正常。
    解决方案:检查连接线和焊接点,确认所有连接正确无误。如果仍然存在问题,请联系厂商技术支持。
    3. 问题:设备过载。
    解决方案:调整系统设计以减少负载,确保器件工作在额定电流以内。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K2806-01-VB MOSFET具备卓越的性能和可靠性,适用于各种电力管理和控制应用。其高效节能的特性使其成为市场上的佼佼者。如果您需要一个高性能且可靠的MOSFET器件,强烈推荐使用K2806-01-VB。此外,VBsemi提供优质的售后服务和支持,确保您的需求得到充分满足。

K2806-01-VB参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 80A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,9mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2806-01-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2806-01-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2806-01-VB K2806-01-VB数据手册

K2806-01-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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