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K20S04K3L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
供应商型号: K20S04K3L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K20S04K3L-VB

K20S04K3L-VB概述

    N-Channel 40-V MOSFET 技术手册概述
    本文将详细探讨一款高性能的N-Channel 40-V(漏-源电压)功率场效应晶体管(MOSFET),型号为K20S04K3L。这款产品广泛应用于OR-ing、服务器和直流-直流转换等场合,满足现代电子设计对高效能、高可靠性的需求。

    产品简介


    产品类型:
    K20S04K3L是一款N-Channel 40-V TrenchFET® Power MOSFET。其主要功能是实现电子信号的高效开关操作,在电力管理和电源转换系统中发挥重要作用。
    主要功能:
    - 高效电能转换
    - 减少功耗
    - 支持高频操作
    应用领域:
    - OR-ing 应用
    - 服务器电源管理
    - 直流-直流转换器
    - 其他高要求电力管理系统

    技术参数


    以下是该MOSFET的关键技术规格:
    - 漏-源电压 (VDS):40V
    - 栅-源阈值电压 (VGS(th)):1.5~2.5V
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):≤1µA
    - 最大漏极连续电流 (ID):45A (Ta = 70°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):200A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):94.8mJ
    - 最大反向恢复时间 (trr):78ns
    - 最大体二极管连续正向电流 (ISM):120A

    产品特点和优势


    独特功能:
    - TrenchFET®技术:采用先进的沟槽结构,提高效率并减少导通电阻。
    - 高可靠性:所有样品都通过100% Rg和UIS测试。
    - 符合RoHS标准:环保材料,符合欧洲法规。
    优势:
    - 低导通电阻:最小值仅为0.013Ω (VGS = 10V),有助于提高能效。
    - 低热阻抗:快速散热,保证设备长时间稳定运行。
    - 高速开关特性:降低损耗,适合高频操作。

    应用案例和使用建议


    典型应用:
    - 在数据中心服务器中作为高效的电力管理开关。
    - 在通信设备中用于直流-直流转换,确保稳定的电力供应。
    使用建议:
    - 确保电路板上的安装牢固以减少热阻。
    - 在高负载情况下适当增加散热措施,如加装散热片。

    兼容性和支持


    该产品适用于大多数标准电子设计,但建议在具体应用前进行评估。VBsemi提供详尽的技术支持,包括产品选型、故障排查等。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏电流过高 | 检查栅极电压是否设置正确 |
    | 开关速度慢 | 增加栅极电阻Rg |

    总结和推荐


    K20S04K3L N-Channel 40-V MOSFET 是一款专为高效电力管理而设计的产品,具有出色的电气特性和稳定性。特别适用于服务器、直流-直流转换器等领域。建议在实际应用中充分考虑其技术规格和使用条件,以确保最佳性能和长久耐用。基于其出色的性能表现和广泛应用,强烈推荐在相关项目中使用该产品。

K20S04K3L-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K20S04K3L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K20S04K3L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K20S04K3L-VB K20S04K3L-VB数据手册

K20S04K3L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
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