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FDB10N20C-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),260mΩ@10V,370mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: FDB10N20C-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDB10N20C-VB

FDB10N20C-VB概述

    产品概述:FDB10N20C 功率 MOSFET

    1. 产品简介


    FDB10N20C 是一款 N-Channel 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有多种卓越的特性和广泛的适用性。它特别适合需要高速开关和低导通电阻的应用场景,如电源管理、马达驱动和高频逆变器等。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 漏源电压 (VDS): 200V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 持续漏电流 (ID): 在 VGS = 10V 时为 10A,在 100°C 时为 6.7A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 36A
    - 最大功率耗散 (PD): 74W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 250mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 9.0A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 7.4mJ
    - 动态特性:
    - 输入电容 (Ciss): 800pF
    - 输出电容 (Coss): 240pF
    - 反向传输电容 (Crss): 76pF
    - 总门极电荷 (Qg): 43nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs): 7.0nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 23nC
    - 开关时间:
    - 开启延时时间 (td(on)): 9.4ns
    - 上升时间 (tr): 28ns
    - 关断延时时间 (td(off)): 39ns
    - 下降时间 (tf): 20ns

    3. 产品特点和优势


    - 无卤材料:符合 IEC 61249-2-21 标准定义。
    - 表面贴装:便于自动化生产,提高生产效率。
    - 快速开关:高 dV/dt 评级和短开关时间使其适合高频应用。
    - 并联容易:便于多个 MOSFET 并联使用,实现更高电流处理能力。
    - 简单驱动需求:易于与标准驱动电路配合使用,减少设计复杂度。
    - 符合 RoHS:环保合规,适用于国际市场销售。

    4. 应用案例和使用建议


    FDB10N20C 在众多应用中表现出色,例如:
    - 电源转换器:由于其高开关频率能力,可以提高转换器效率。
    - 马达驱动器:低导通电阻和快速响应使其成为电机控制的理想选择。
    - 逆变器:重复雪崩能力和高电流处理能力使逆变器更可靠。
    使用建议:
    - 热管理:确保良好的散热设计以避免过热。
    - 驱动电路:采用合适的驱动电路以优化性能。
    - 并联使用:在高电流应用中考虑多个 MOSFET 并联使用。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FDB10N20C 支持广泛的电气特性和环境条件,可以与其他标准组件和系统兼容。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术支持和售后维护服务,帮助用户解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关速度慢。
    - 解决方案: 检查驱动电路的设计和电源电压,确保满足最小驱动要求。
    - 问题2: 发生过热现象。
    - 解决方案: 使用散热器或优化 PCB 设计以增加散热面积。
    - 问题3: 导通电阻异常高。
    - 解决方案: 检查温度是否超出正常范围,并检查门极驱动信号是否足够强。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDB10N20C 功率 MOSFET 是一款高性能的产品,具有快速开关、低导通电阻和高可靠性等特点。其广泛的应用范围和强大的技术支持使其成为市场上极具竞争力的选择。强烈推荐给需要高效能功率管理的应用项目。

FDB10N20C-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 10A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@10V,370mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDB10N20C-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDB10N20C-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDB10N20C-VB FDB10N20C-VB数据手册

FDB10N20C-VB封装设计

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