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IPP70P04P4-09-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-40V,-80A,RDS(ON),4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: IPP70P04P4-09-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPP70P04P4-09-VB

IPP70P04P4-09-VB概述

    IPP70P04P4-09-VB P-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IPP70P04P4-09-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的P沟道40V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET采用了TrenchFET®技术,提供了卓越的电气性能和可靠性。它广泛应用于各种电力转换和控制电路中,如开关电源、逆变器和电机驱动等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 最大 40V
    - 门源电压 \( V{GS} \): 最大 ±20V
    - 持续漏电流 \( ID \): 25°C时最大 110A;70°C时最大 39A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 281mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \): 25°C时最大 375W;70°C时最大 262W
    - 电气特性
    - 导通电阻 \( r{DS(on)} \): 在 \( V{GS} = -10V \),\( ID = -20A \) 下为 0.0041Ω
    - 门电荷 \( Qg \): 在 \( V{DS} = -20V \),\( V{GS} = -10V \),\( ID = -110A \) 下为 185nC
    - 热阻抗
    - 最大结至环境热阻 \( R{thJA} \): 8-10°C/W
    - 最大结至壳体热阻 \( R{thJC} \): 0.33-0.4°C/W

    3. 产品特点和优势


    IPP70P04P4-09-VB 的显著特点是其低导通电阻和高雪崩能量承受能力。这些特性使其在高频开关应用中表现出色,特别是在电源管理和电机控制方面。此外,TrenchFET®技术的应用使得这款MOSFET具备更小的尺寸和更高的效率,从而提高了系统的整体性能和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 电源管理: 用于开关电源,提供高效且稳定的电压输出。
    - 电机控制: 适用于需要快速响应和高效率的电机驱动系统。
    - 逆变器: 在光伏逆变器和不间断电源系统中发挥关键作用。
    - 使用建议
    - 确保电路设计充分考虑到散热需求,以避免过热导致的损坏。
    - 使用合适的栅极驱动电路,以确保快速和准确的开关操作。
    - 在高频应用中,注意寄生电容的影响,优化电路布局以减少干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性
    - 该MOSFET采用TO-220AB封装,可直接替换市场上常见的同类产品。
    - 可与大多数标准门极驱动电路和控制器兼容。
    - 支持和服务
    - 客户可以联系台湾VBsemi的服务热线 400-655-8788 获取技术支持和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何确保MOSFET在高温下的稳定性?
    - 解决方案: 使用热敏电阻监测结温,并根据温度变化调整工作条件。

    - 问题2: 门极驱动电路如何设计?
    - 解决方案: 选择适当的驱动器,确保门极驱动信号具有足够的幅度和速度,同时考虑驱动器的电源电压范围。

    7. 总结和推荐


    IPP70P04P4-09-VB P-Channel MOSFET凭借其出色的电气特性和可靠性能,在多种电力应用中表现出色。其低导通电阻和高雪崩能量承受能力使其成为电源管理和电机控制的理想选择。对于寻求高性能、稳定性和可靠性的工程师来说,推荐选用这款MOSFET。

IPP70P04P4-09-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 80A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IPP70P04P4-09-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPP70P04P4-09-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPP70P04P4-09-VB IPP70P04P4-09-VB数据手册

IPP70P04P4-09-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
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